Николаев Владимир Иванович

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Магнитные свойства субмикронных слоев $\alpha$-Fe$_2$O$_3$, выращенных на сапфире методом mist-CVD
   
   Физика твердого тела, 67:7 (2025),  1274–1278
2. Выращивание кристаллов K$_2$O $\times$ 8Ga$_2$O$_3$ из раствора в расплаве KF и исследование их свойств
   
   Оптика и спектроскопия, 133:11 (2025),  1150–1153
3. Электрические свойства эпитаксиальных пленок Cr$_2$O$_3$:Mg, выращенных на объемных кристаллах оксида галлия и сапфировых подложках
   
   Физика и техника полупроводников, 59:8 (2025),  466–469
4. Слои $\alpha$-Cr$_2$O$_3$, выращенные на подложках (100) $\beta$-Ga$_2$O$_3$ методом ультразвуковой паровой химической эпитаксии (mist-CVD)
   
   Письма в ЖТФ, 51:20 (2025),  21–23
5. Анизотропия разрушения поверхности сапфировых пластин базисной ориентации при трении
   
   Письма в ЖТФ, 51:14 (2025),  32–35
6. Магнитная структура и гистерезисные характеристики кристаллов сплава Ni$_{49}$Fe$_{18}$Ga$_{27}$Co$_6$ с эффектом памяти формы
   
   Физика твердого тела, 66:11 (2024),  1902–1904
7. Кристаллизация $\beta$-Ga$_2$O$_3$ из раствора-расплава и исследование полученных кристаллов методом катодолюминесценции
   
   Физика и техника полупроводников, 58:10 (2024),  548–551
8. Модификация приповерхностных слоев альфа оксида галлия при облучении сверхбольшими дозами ионов
   
   Физика и техника полупроводников, 58:9 (2024),  513–523
9. Фотоприемники глубокого ультрафиолета на основе пленок композита In$_2$O$_3$–Ga$_2$O$_3$
   
   Письма в ЖТФ, 50:5 (2024),  7–9
10. Структура и рекомбинационные свойства двойниковых границ в $\kappa$-фазе оксида галлия
    
    Физика твердого тела, 65:12 (2023),  2194–2197
11. Структурная трансформация тонких пленок $\alpha$- и $\kappa$-Ga$_2$O$_3$ на сапфире при отжиге на воздухе
    
    Физика твердого тела, 65:10 (2023),  1715–1721
12. Выявление и исследование 60$^\circ$-поворотных доменов в $\alpha$-Ga$_2$O$_3$ методом просвечивающей электронной микроскопии
    
    Физика твердого тела, 65:1 (2023),  43–48
13. Влияние химико-механической обработки кремниевых пластин на морфологию их поверхности и прочность
    
    ЖТФ, 93:5 (2023),  643–653
14. Рекордно толстые эпитаксиальные слои $\kappa(\varepsilon)$-Ga$_2$O$_3$, выращенные на GaN/$c$-сапфире
    
    ЖТФ, 93:3 (2023),  403–408
15. Высокая чувствительность пленок оксида индия, полученных методом хлоридной газофазной эпитаксии, к аммиаку
    
    Физика и техника полупроводников, 57:3 (2023),  145–152
16. Выращивание монокристаллов $\beta$-Ga$_2$O$_3$ раствор-расплавным методом
    
    Письма в ЖТФ, 49:14 (2023),  16–18
17. Тонкие монокристаллические слои $\alpha$-Cr$_2$O$_3$, выращенные на подложках сапфира в реакторе ультразвуковой паровой химической эпитаксии
    
    Письма в ЖТФ, 49:10 (2023),  43–46
18. Дефектная структура пленки $\alpha$-Ga$_2$O$_3$, выращенной на $m$-грани подложки сапфира, по данным просвечивающей электронной микроскопии
    
    Письма в ЖТФ, 49:2 (2023),  26–29
19. Накопление структурных нарушений при облучении $\alpha$-Ga$_2$O$_3$ ионами P и PF$_4$
    
    Физика и техника полупроводников, 56:9 (2022),  882–887
20. Электропроводящие и фотоэлектрические свойства гетероструктур на основе оксидов галлия и хрома со структурой корунда
    
    Письма в ЖТФ, 48:22 (2022),  24–27
21. Получение толстых слоев $\varepsilon(\kappa)$-Ga$_2$O$_3$ методом хлоридной эпитаксии
    
    Письма в ЖТФ, 48:19 (2022),  35–38
22. Исследование прочности тонких пластин кремния в зависимости от методов обработки их поверхности при утонении
    
    Письма в ЖТФ, 48:17 (2022),  28–32
23. Газочувствительные свойства пленок твердого раствора In$_2$O$_3$–Ga$_2$O$_3$
    
    Письма в ЖТФ, 48:14 (2022),  37–41
24. Изучение порошкообразных образцов LiFePO$_4$ дифракционными рентгеновскими методами с применением искусственных нейронных сетей
    
    Письма в ЖТФ, 48:14 (2022),  14–17
25. Влияние предварительной сжимающей нагрузки на работу, производимую монокристаллами Cu–Al–Ni при взрывном восстановлении деформации памяти формы
    
    Письма в ЖТФ, 48:3 (2022),  44–46
26. Образование дендритной структуры в кристаллах NiFeGaCo при выращивании способом Степанова
    
    Физика твердого тела, 63:12 (2021),  2171–2177
27. Трибологические исследования слоев $\alpha$-$\beta$-Ga$_{2}$O$_{3}$ в паре с сапфировым контртелом
    
    ЖТФ, 91:9 (2021),  1354–1362
28. Влияние влажности окружающей среды на электрическую проводимость полиморфных Ga$_{2}$O$_{3}$-структур
    
    Физика и техника полупроводников, 55:3 (2021),  269–276
29. Исследование механических свойств эпитаксиальных слоев метастабильных $\alpha$- и $\varepsilon$-фаз Ga$_{2}$O$_{3}$ методом наноиндентирования
    
    Письма в ЖТФ, 47:14 (2021),  3–7
30. Влияние текстурирования поверхности пластин кремния для солнечных фотопреобразователей на их прочностные свойства
    
    ЖТФ, 90:7 (2020),  1168–1174
31. Сравнительный анализ роста кристаллов, выращенных на Земле и на космической станции, на примере синтеза CrSi$_{2}$ из расплава Zn в системе Cr–Si–Zn
    
    ЖТФ, 90:2 (2020),  211–216
32. Упругость и неупругость объемных кристаллов нитрида галлия
    
    ЖТФ, 90:1 (2020),  138–142
33. Прочность пластин монокристаллического кремния для солнечных элементов
    
    ЖТФ, 90:1 (2020),  79–84
34. Влияние ультрафиолетового излучения и электрического поля на проводимость структур на основе $\alpha$- и $\varepsilon$-Ga$_{2}$O$_{3}$
    
    Физика и техника полупроводников, 54:10 (2020),  1035–1040
35. Свойства резистивных структур на основе полиморфных фаз оксида галлия
    
    Письма в ЖТФ, 46:17 (2020),  33–36
36. Особенности деформации монокристаллов Ni–Fе–Ga–Co, выращенных из расплава методом Степанова
    
    Письма в ЖТФ, 46:14 (2020),  3–5
37. Влияние термообработки на деформационные свойства кристаллов сплава Ni$_{49}$Fe$_{18}$Ga$_{27}$Co$_{6}$ при их сжатии вдоль оси [011]
    
    Письма в ЖТФ, 46:6 (2020),  7–10
38. Толстые эпитаксиальные слои $\alpha$-Ga$_{2}$O$_{3}$ : Sn на профилированной сапфировой подложке
    
    Письма в ЖТФ, 46:5 (2020),  27–29
39. Анизотропия деформации памяти формы в монокристалле сплава Ni$_{49}$Fe$_{18}$Ga$_{27}$Co$_{6}$
    
    Письма в ЖТФ, 46:3 (2020),  3–5
40. Межфазные напряжения и аномальный вид кривых псевдоупругой деформации в кристаллах сплава Ni$_{49}$Fe$_{18}$Ga$_{27}$Co$_{6}$, деформированных сжатием в направлении оси [011]$_{A}$
    
    ЖТФ, 89:6 (2019),  873–881
41. Влияние наночастиц HfO$_{2}$ на форму и параметры кривых псевдоупругой деформации монокристаллов сплава Cu–Al–Ni
    
    ЖТФ, 89:1 (2019),  132–136
42. Толстые слои $\alpha$-Ga$_{2}$O$_{3}$ на сапфировых подложках, полученные методом хлоридной эпитаксии
    
    Физика и техника полупроводников, 53:6 (2019),  789–792
43. Микротвердость и трещиностойкость оксида галлия
    
    Письма в ЖТФ, 45:21 (2019),  51–54
44. Влияние термической обработки на упругие и неупругие свойства монокристаллов сплава Ni$_{55}$Fe$_{18}$Ga$_{27}$
    
    Письма в ЖТФ, 45:6 (2019),  43–46
45. Деформация памяти формы и микрорельеф поверхности монокристаллов сплавов Ni–Fe–Ga–Co и Cu–Al–Ni
    
    Письма в ЖТФ, 45:5 (2019),  27–29
46. Исследование анизотропных упругопластических свойств пленок $\beta$-Ga$_{2}$O$_{3}$, синтезированных на подложках SiC/Si
    
    Физика твердого тела, 60:5 (2018),  851–856
47. Эффект памяти формы в монокристаллах Cu–Al–Ni, линейные и вращательные двигатели на их основе
    
    ЖТФ, 88:6 (2018),  843–849
48. Эффект локализации деформации в монокристаллах Cu–Al–Ni при изгибе продольной силой
    
    Письма в ЖТФ, 44:21 (2018),  91–96
49. Реактивные напряжения в монокристаллах сплава Ni$_{49}$Fe$_{18}$Ga$_{27}$Co$_{6}$ с эффектом памяти формы
    
    Письма в ЖТФ, 44:5 (2018),  3–9
50. Межфазные напряжения и аномальный вид кривых термоупругой деформации сплава Cu–Al–Ni с эффектом памяти формы
    
    Письма в ЖТФ, 43:24 (2017),  39–45
51. Аномальный характер кривых псевдоупругой деформации кристаллов сплава Ni–Fe–Ga–Co как результат действия межфазных напряжений
    
    Физика твердого тела, 58:12 (2016),  2400–2405
52. Эпитаксиальный оксид галлия на подложках SiC/Si
    
    Физика твердого тела, 58:9 (2016),  1812–1817
53. Хлоридная эпитаксия слоев $\beta$-Ga$_{2}$O$_{3}$ на сапфировых подложках базисной ориентации
    
    Физика и техника полупроводников, 50:7 (2016),  997–1000
54. Снижение трещинообразования при росте AlN на подложках Si методом хлоридно-гидридной эпитаксии
    
    Физика и техника полупроводников, 50:4 (2016),  549–552
55. Масс-спектрометр с мембранным интерфейсом для мониторинга концентрации нефти в морской воде
    
    Письма в ЖТФ, 42:15 (2016),  72–77
56. Влияние частичной деформации памяти формы на взрывообразный характер ее восстановления в кристаллах сплава Ni–Fe–Ga–Co при нагреве
    
    Письма в ЖТФ, 42:8 (2016),  18–27
57. Осаждение слоев $\beta$-Ga$_2$O$_3$ методом сублимации на сапфировые подложки различных ориентаций
    
    Физика твердого тела, 57:7 (2015),  1315–1319
58. Пластины кристаллического GaN большой площади
    
    Письма в ЖТФ, 41:5 (2015),  84–90
59. Влияние неполной деформации памяти формы на генерацию реактивных напряжений в монокристаллах сплава Cu–Al–Ni
    
    Физика твердого тела, 56:3 (2014),  508–511
60. Особенности хлорид-гидридной эпитаксии нитридных материалов на подложке кремния
    
    Физика и техника полупроводников, 48:11 (2014),  1573–1577
61. Эффект самоструктурирования пластин монокристаллического кремния в условиях индукционного нагрева в вакууме
    
    Физика и техника полупроводников, 48:3 (2014),  364–368
62. Анализ дефектов упаковки в нитриде галлия с использованием преобразования Фурье высокоразрешающих изображений
    
    Письма в ЖТФ, 40:24 (2014),  60–68
63. Выращивание кристаллов $\beta$-Ga$_2$O$_3$ из собственного расплава
    
    Письма в ЖТФ, 40:7 (2014),  56–61
64. Взрывной характер термоупругой деформации памяти формы в кристаллах сплава Cu–Al–Ni
    
    Письма в ЖТФ, 40:3 (2014),  57–63
65. Эпитаксия GaN в полуполярном направлении на подложке Si(210)
    
    Письма в ЖТФ, 39:6 (2013),  1–8
66. Использование масс-спектрометра в качестве капнографа в аппарате ингаляционной анестезии
    
    ЖТФ, 80:12 (2010),  107–109
67. Использование масс-спектрометрического метода для мониторинга концентрации севофлурана в аппарате ингаляционной анестезии
    
    ЖТФ, 80:8 (2010),  156–158
68. Взрывной характер термоупругой деформации памяти формы в ферромагнитном сплаве Ni–Fe–Ga–Co
    
    Письма в ЖТФ, 36:19 (2010),  83–90