Чикиряка Андрей Владимирович

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Выращивание кристаллов K$_2$O $\times$ 8Ga$_2$O$_3$ из раствора в расплаве KF и исследование их свойств
   
   Оптика и спектроскопия, 133:11 (2025),  1150–1153
2. Применение метода жидкого анода для получения сферических частиц при плазменном распылении золота, серебра, меди
   
   Письма в ЖТФ, 51:23 (2025),  46–49
3. Слои $\alpha$-Cr$_2$O$_3$, выращенные на подложках (100) $\beta$-Ga$_2$O$_3$ методом ультразвуковой паровой химической эпитаксии (mist-CVD)
   
   Письма в ЖТФ, 51:20 (2025),  21–23
4. Фотоприемники глубокого ультрафиолета на основе пленок композита In$_2$O$_3$–Ga$_2$O$_3$
   
   Письма в ЖТФ, 50:5 (2024),  7–9
5. Влияние скорости направленной кристаллизации и содержания кремния на структуру и прочность Al–Si–Cu-сплава
   
   ЖТФ, 93:4 (2023),  554–561
6. Рекордно толстые эпитаксиальные слои $\kappa(\varepsilon)$-Ga$_2$O$_3$, выращенные на GaN/$c$-сапфире
   
   ЖТФ, 93:3 (2023),  403–408
7. Высокая чувствительность пленок оксида индия, полученных методом хлоридной газофазной эпитаксии, к аммиаку
   
   Физика и техника полупроводников, 57:3 (2023),  145–152
8. Выращивание монокристаллов $\beta$-Ga$_2$O$_3$ раствор-расплавным методом
   
   Письма в ЖТФ, 49:14 (2023),  16–18
9. Тонкие монокристаллические слои $\alpha$-Cr$_2$O$_3$, выращенные на подложках сапфира в реакторе ультразвуковой паровой химической эпитаксии
   
   Письма в ЖТФ, 49:10 (2023),  43–46
10. Получение толстых слоев $\varepsilon(\kappa)$-Ga$_2$O$_3$ методом хлоридной эпитаксии
    
    Письма в ЖТФ, 48:19 (2022),  35–38
11. Газочувствительные свойства пленок твердого раствора In$_2$O$_3$–Ga$_2$O$_3$
    
    Письма в ЖТФ, 48:14 (2022),  37–41
12. Образование дендритной структуры в кристаллах NiFeGaCo при выращивании способом Степанова
    
    Физика твердого тела, 63:12 (2021),  2171–2177
13. Трибологические исследования слоев $\alpha$-$\beta$-Ga$_{2}$O$_{3}$ в паре с сапфировым контртелом
    
    ЖТФ, 91:9 (2021),  1354–1362
14. Исследование механических свойств эпитаксиальных слоев метастабильных $\alpha$- и $\varepsilon$-фаз Ga$_{2}$O$_{3}$ методом наноиндентирования
    
    Письма в ЖТФ, 47:14 (2021),  3–7
15. Толстые эпитаксиальные слои $\alpha$-Ga$_{2}$O$_{3}$ : Sn на профилированной сапфировой подложке
    
    Письма в ЖТФ, 46:5 (2020),  27–29
16. Моделирование работы циклического привода на основе изгибного силового элемента, выполненного из материала с эффектом памяти формы
    
    ЖТФ, 89:12 (2019),  1880–1884
17. Моделирование работы привода на основе изгибного силового элемента, выполненного из материала с эффектом памяти
    
    ЖТФ, 89:4 (2019),  550–555
18. Толстые слои $\alpha$-Ga$_{2}$O$_{3}$ на сапфировых подложках, полученные методом хлоридной эпитаксии
    
    Физика и техника полупроводников, 53:6 (2019),  789–792
19. Микротвердость и трещиностойкость оксида галлия
    
    Письма в ЖТФ, 45:21 (2019),  51–54
20. Эффект локализации деформации в монокристаллах Cu–Al–Ni при изгибе продольной силой
    
    Письма в ЖТФ, 44:21 (2018),  91–96
21. Межфазные напряжения и аномальный вид кривых термоупругой деформации сплава Cu–Al–Ni с эффектом памяти формы
    
    Письма в ЖТФ, 43:24 (2017),  39–45
22. Снижение трещинообразования при росте AlN на подложках Si методом хлоридно-гидридной эпитаксии
    
    Физика и техника полупроводников, 50:4 (2016),  549–552
23. Взрывной характер термоупругой деформации памяти формы в кристаллах сплава Cu–Al–Ni
    
    Письма в ЖТФ, 40:3 (2014),  57–63