Ячменев Александр Эдуардович

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Особенности формирования мезаструктуры методом электронно-лучевой литографии в полупроводниковых соединениях на основе GaAs
   
   Письма в ЖТФ, 51:21 (2025),  42–44
2. Эффективная генерация ТГц излучения фотопроводящим источником с локализацией носителей заряда в высокоаспектных плазмонных электродах
   
   Оптика и спектроскопия, 132:1 (2024),  105–110
3. Оптико-терагерцевые преобразователи: современное состояние и новые возможности для мультиспектральной визуализации
   
   УФН, 194:1 (2024),  2–22
4. Фотопроводящий ТГц детектор на основе новых функциональных слоев в многослойных гетероструктурах
   
   Оптика и спектроскопия, 129:6 (2021),  741–746
5. Излучательная эффективность терагерцовых антенн с традиционной топологией и металлической метаповерхностью: сравнительный анализ
   
   Оптика и спектроскопия, 128:7 (2020),  1012–1019
6. Фотопроводящий THz-детектор на основе сверхрешеточной гетероструктуры с плазмонным усилением
   
   Письма в ЖТФ, 46:22 (2020),  10–14
7. Плазмонные фотопроводящие антенны для систем терагерцовой импульсной спектроскопии и визуализации
   
   Оптика и спектроскопия, 126:5 (2019),  663–669
8. Исследование временной динамики фотовозбужденных носителей заряда в сверхрешетках In$_{0.53}$Ga$_{0.47}$As/In$_{0.52}$Al$_{0.48}$As при воздействии фемтосекундными лазерными импульсами
   
   Физика и техника полупроводников, 52:7 (2018),  723–728
9. Роль энергии фотонов возбуждения в динамике фотоиндуцированных носителей заряда в сверхрешеточных гетероструктурах InGaAs/InAlAs
   
   Письма в ЖТФ, 44:23 (2018),  146–157
10. Электрические и тепловые свойства фотопроводящих антенн на основе In$_{x}$Ga$_{1-x}$As ($x>$ 0.3) с метаморфным буферным слоем для генерации терагерцового излучения
    
    Физика и техника полупроводников, 51:9 (2017),  1267–1272
11. Генерация терагерцового излучения при облучении фемтосекундными лазерными импульсами In$_{0.38}$Ga$_{0.62}$As, выращенного на подложке GaAs с метаморфным буферным слоем
    
    Физика и техника полупроводников, 51:4 (2017),  535–539
12. Эпитаксиальные напряжения в фотопроводящем слое InGaAs для THz-антенн
    
    Письма в ЖТФ, 43:22 (2017),  48–54
13. Электронный транспорт и оптические свойства структур с нанонитями из атомов олова на вицинальных подложках GaAs
    
    Физика и техника полупроводников, 50:2 (2016),  185–190
14. Исследование оптических свойств GaAs, выращенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии при низких температурах роста, с $\delta$-легированными слоями Si
    
    Физика и техника полупроводников, 49:7 (2015),  932–935
15. MHEMT с предельной частотой усиления по мощности $f_{\mathrm{max}}$ = 0.63 ТГц на основе наногетероструктуры In$_{0.42}$Al$_{0.58}$As/In$_{0.42}$Ga$_{0.58}$As/In$_{0.42}$Al$_{0.58}$As/GaAs
    
    Физика и техника полупроводников, 48:1 (2014),  73–76