RUS  ENG
Полная версия
ПЕРСОНАЛИИ

Божевольнов Владислав Борисович

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

  1. Новый механизм поляризации полупроводника на интерфейсе с органическим диэлектриком

    Физика и техника полупроводников, 51:2 (2017),  202–204
  2. Электрофизические свойства многослойной структуры SiC–Si

    Физика и техника полупроводников, 48:6 (2014),  814–817
  3. Автоэлектронная и взрывная эмиссия из графеноподобных структур

    ЖТФ, 83:6 (2013),  71–77
  4. Электрофизические свойства структур диэлектрик–полупроводник на основе германия с диэлектрическим слоем полинуклеотидов и их мономерных компонент на поверхности

    Физика и техника полупроводников, 45:12 (2011),  1617–1620
  5. Электрофизические и морфологические свойства пленок CdTe, синтезированных методом молекулярного наслаивания

    Физика и техника полупроводников, 44:5 (2010),  590–593
  6. Исследование параметров зонной структуры приповерхностных слоев бесщелевых полупроводников (CdHg)Te и HgTe методом эффекта поля в электролитах

    Физика и техника полупроводников, 26:4 (1992),  636–643
  7. Эффект поля на поверхности полуметалла HgTe и полупроводника Cd$_{0.2}$Hg$_{0.8}$Te

    Физика и техника полупроводников, 18:6 (1984),  1064–1068


© МИАН, 2026