Порцель Леонид Михайлович

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Электрически неактивная примесь магния в кремнии
   
   Физика твердого тела, 67:5 (2025),  797–799
2. Трехэлектродная газоразрядная система – плазмохимический микрореактор
   
   ЖТФ, 95:10 (2025),  2012–2020
3. Диффузия магния в кремнии, выращенном методом Чохральского
   
   Физика твердого тела, 66:7 (2024),  1176–1179
4. Взаимодействие Mg с кислородом и углеродом в кремнии
   
   Физика и техника полупроводников, 58:2 (2024),  75–77
5. Двойные доноры магния в кремнии как потенциальная активная среда в терагерцовом диапазоне
   
   Физика и техника полупроводников, 57:6 (2023),  455–460
6. Растворимость магния в кремнии
   
   Физика и техника полупроводников, 56:9 (2022),  858–861
7. Thermal activation of valley-orbit states of neutral magnesium in silicon
   
   Физика и техника полупроводников, 55:6 (2021),  500
8. Оптические сечения поглощения и силы осцилляторов двойного донора магния в кремнии
   
   Физика и техника полупроводников, 55:4 (2021),  299–303
9. Исследование примеси магния в кремнии
   
   Физика и техника полупроводников, 54:4 (2020),  321–326
10. Химический сдвиг и энергия обменного взаимодействия $1s$ состояний доноров магния в кремнии. Возможность стимулированного излучения
    
    Физика и техника полупроводников, 53:9 (2019),  1263–1266
11. Исследование энергетического спектра кристаллов Si : Mg методом DLTS
    
    Физика и техника полупроводников, 53:6 (2019),  799–804
12. Распад твердого раствора межузельного магния в кремнии
    
    Физика и техника полупроводников, 53:3 (2019),  314–316
13. Высокотемпературная диффузия магния в бездислокационном кремнии
    
    Физика и техника полупроводников, 51:8 (2017),  1075–1077
14. Диффузия межузельного магния в бездислокационном кремнии
    
    Физика и техника полупроводников, 51:1 (2017),  5–7
15. Динамика таунсендовского разряда в аргоне
    
    ЖТФ, 85:5 (2015),  27–31
16. Образование “квазимолекул” S$_2$ в кремнии, легированном серой
    
    Физика и техника полупроводников, 49:4 (2015),  433–434
17. Легирование кремния селеном методом диффузии из газовой фазы
    
    Физика и техника полупроводников, 48:3 (2014),  428–431
18. Кремний с повышенным содержанием одноатомных центров серы: получение и оптическая спектроскопия
    
    Физика и техника полупроводников, 47:2 (2013),  211–215
19. Гексагональные структуры тока в системе “полупроводник–газоразрядный промежуток”
    
    ЖТФ, 81:2 (2011),  42–47
20. Фотопроводимость слабо компенсированного Si$\langle\text{In}\rangle$ на длине волны 10.6 мкм за счет ионизации $X$-центров
    
    Физика и техника полупроводников, 18:6 (1984),  1052–1055