Казакова Людмила Павловна

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Механизмы токопрохождения в структуре TiN/Ge$_2$Sb$_2$Te$_5$/Au
   
   Физика и техника полупроводников, 58:12 (2024),  662–667
2. Влияние примеси Bi на основные параметры вольт-амперных характеристик полупроводника с фазовой памятью Ge$_2$Sb$_2$Te$_5$
   
   Физика и техника полупроводников, 58:8 (2024),  443–447
3. Оптические свойства фазопеременных материалов системы германий–сурьма-теллур составов Ge$_{14}$Sb$_{29}$Te$_{57}$ и Ge$_{15}$Sb$_{15}$Te$_{70}$ в дальнем инфракрасном диапазоне
   
   Физика и техника полупроводников, 55:7 (2021),  542–549
4. Многоуровневая запись в тонких пленках Ge$_{2}$Sb$_{2}$Te$_{5}$
   
   Физика и техника полупроводников, 54:4 (2020),  372–375
5. Оценка температуры шнура тока, возникающего при переключении в халькогенидах системы GeSbTe
   
   Физика и техника полупроводников, 52:12 (2018),  1503–1506
6. Осцилляции напряжения при эффекте переключения в режиме токовой моды в тонких слоях халькогенидов системы Ge–Sb–Te
   
   Физика и техника полупроводников, 50:7 (2016),  958–962
7. Особенности вольт-амперных характеристик в тонких пленках состава Ge$_2$Sb$_2$Te$_5$ при использовании измерительной цепи с источником тока
   
   ЖТФ, 84:4 (2014),  80–84
8. Перенос носителей зарядов в пленках халькогенидного стеклообразного полупроводника состава Ge$_{20}$As$_{20}$S$_{60}$
   
   Физика и техника полупроводников, 44:1 (2010),  79–81
9. Биполярная фотопроводимость в халькогенидных стеклообразных полупроводниках системы Ge$-$Pb$-$S
   
   Физика и техника полупроводников, 18:6 (1984),  1016–1020