Марьянчук Павел Дмитриевич

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Электрические и оптические свойства пленок Cu$_{2}$Zn(Fe,Mn)SnS$_{4}$, изготовленных спрей-пиролизом
   
   ЖТФ, 88:2 (2018),  251–257
2. Электрические свойства и энергетические параметры гетеропереходов $n$-FeS$_{2}$/$p$-Cd$_{1-x}$Zn$_{x}$Te
   
   Физика и техника полупроводников, 52:9 (2018),  1049–1055
3. Электрические свойства гетероструктур $p$-NiO/$n$-Si на основе наноструктурированного кремния
   
   Физика и техника полупроводников, 52:7 (2018),  718–722
4. Диоды Шоттки графит/$p$-SiC, полученные методом переноса нарисованной пленки графита на SiC
   
   Физика и техника полупроводников, 52:2 (2018),  248–253
5. Структурные и оптические свойства пленок Cu$_{2}$ZnSn(S,Se)$_{4}$, полученных методом магнетронного распыления мишени из сплава Cu$_{2}$ZnSn
   
   Физика твердого тела, 59:8 (2017),  1619–1623
6. Структурные, оптические и электрические свойства тонких пленок Cu$_{2}$SnS$_{3}$, полученных золь-гель-методом
   
   Физика твердого тела, 59:4 (2017),  783–789
7. Silicon nanowire array architecture for heterojunction electronics
   
   Физика и техника полупроводников, 51:4 (2017),  569
8. Температурные зависимости электрических параметров анизотипных гетеропереходов NiO/CdTe
   
   Физика и техника полупроводников, 51:3 (2017),  358–362
9. Оптические свойства и механизмы протекания тока в пленках Cu$_{2}$ZnSnS$_{4}$, полученных спрей–пиролизом
   
   Физика твердого тела, 58:5 (2016),  1024–1029
10. Низкотемпературный спрей-пиролиз пленок FeS$_{2}$, их электрические и оптические свойства
    
    Физика твердого тела, 58:1 (2016),  39–43
11. Электрические и фотоэлектрические свойства гетероструктуры $n$-ТiN/$p$-Hg$_{3}$In$_{2}$Te$_{6}$
    
    Физика и техника полупроводников, 50:8 (2016),  1041–1046
12. Электрические и фотоэлектрические свойства гетероструктур TiN/$p$-InSe
    
    Физика и техника полупроводников, 50:3 (2016),  339–343
13. Особенности электрических и оптических свойств пленок Cu$_{2}$Zn$_{1-x}$Mn$_{x}$SnS$_{4}$, полученных спрей-пиролизом
    
    Письма в ЖТФ, 42:6 (2016),  27–34
14. Особенности оптических и электрических свойств поликристаллических пленок CdTe, изготовленных методом термического испарения
    
    Физика твердого тела, 56:10 (2014),  1886–1890
15. Влияние отжига на кинетические свойства и зонные параметры полупроводниковых кристаллов Hg$_{1-x-y}$Cd$_x$Eu$_y$Se
    
    Физика и техника полупроводников, 48:12 (2014),  1719–1723
16. Особенности рекомбинационных потерь фототока в анизотипных гетеропереходах $n$-TiN/$p$-Si
    
    Физика и техника полупроводников, 48:11 (2014),  1540–1542
17. Механизмы токопереноса в гетероструктурах на основе тонких пленок TiO$_2$ : Cr$_2$O$_3$
    
    Физика и техника полупроводников, 48:9 (2014),  1205–1208
18. Электрические свойства тонкопленочных полупроводниковых гетеропереходов $n$-TiO$_2$/$p$-CuInS$_2$
    
    Физика и техника полупроводников, 48:8 (2014),  1075–1079
19. Электрические свойства анизотипных гетеропереходов $n$-CdO/$p$-Si
    
    Физика и техника полупроводников, 48:7 (2014),  926–931
20. Электрические свойства МОП диодов In/TiO$_2$/$p$-CdTe
    
    Физика и техника полупроводников, 48:4 (2014),  504–508
21. Изотипная поверхностно-барьерная гетероструктура $n$-TiN/$n$-Si
    
    Физика и техника полупроводников, 48:2 (2014),  232–236
22. Электрические свойства анизотипных гетеропереходов $n$-TiN/$p$-Hg$_3$In$_2$Te$_6$
    
    Письма в ЖТФ, 40:6 (2014),  1–6
23. Кинетические свойства тонких пленок ТiN, полученных методом реактивного магнетронного распыления
    
    Физика твердого тела, 55:11 (2013),  2123–2127
24. Электрические и фотоэлектрические свойства анизотипных гетеропереходов $n$-TiN/$p$-Si
    
    Физика и техника полупроводников, 47:9 (2013),  1185–1190
25. Механизмы токопереноса в анизотипных гетероструктурах $n$-ТiО$_2$/$p$-Si
    
    Физика и техника полупроводников, 47:6 (2013),  788–792
26. Оптические свойства тонких пленок TiO$_2$–MnO$_2$, изготовленных по методу электронно-лучевого испарения
    
    ЖТФ, 82:8 (2012),  110–113
27. Электрические свойства анизотипных гетеропереходов $n$-CdZnO/$p$-CdTe
    
    Физика и техника полупроводников, 46:9 (2012),  1175–1180
28. Механизмы токопереноса в анизотипных гетеропереходах $n$-TiO$_2$/$p$-CdTe
    
    Физика и техника полупроводников, 45:8 (2011),  1109–1113
29. Влияние обменного взаимодействия на $g$-фактор электронов проводимости в HgMnSe
    
    Физика и техника полупроводников, 18:6 (1984),  990–993