Андрюшкин Владислав Васильевич

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Влияние морфологии подложек InP на шероховатость интерфейсов и дефектность гетероструктур квантово-каскадных лазеров
   
   Физика и техника полупроводников, 59:7 (2025),  439–444
2. Влияние химического состава окружающих слоев на оптические свойства квантовых точек InGaP(As)
   
   Физика и техника полупроводников, 58:10 (2024),  529–532
3. Анализ процесса диффузии Zn из газовой фазы в материалах InGaAs/InP
   
   Письма в ЖТФ, 50:22 (2024),  48–52
4. Особенности эпитаксиального роста методом МПЭ тонких сильно напряженных слоев InGaAs/InAlAs на подложках InP
   
   ЖТФ, 93:8 (2023),  1166–1172
5. Влияние состава волноводного слоя на излучательные параметры лазерных гетероструктур InGaAlAs/InP спектрального диапазона 1550 нм
   
   Физика и техника полупроводников, 56:9 (2022),  933–939
6. Высокоскоростные одномодовые вертикально-излучающие лазеры спектрального диапазона 1550 нм
   
   Физика и техника полупроводников, 56:8 (2022),  814–823
7. Быстродействующие вертикально-излучающие лазеры спектрального диапазона 1550 нм, реализованные в рамках технологии спекания пластин
   
   Квантовая электроника, 52:10 (2022),  878–884
8. Исследование характеристик сверхрешетки InGaAs/InAlGaAs для вертикально-излучающих лазеров спектрального диапазона 1300 nm
   
   ЖТФ, 91:12 (2021),  2008–2017
9. Оптические свойства трехмерных островков InGaP(As), сформированных методом замещения элементов пятой группы
   
   Оптика и спектроскопия, 129:2 (2021),  218–222
10. Оптическое поглощение в волноводе AlGaAs-гетероструктуры n-типа
    
    Квантовая электроника, 51:11 (2021),  987–991
11. Исследование оптических и структурных свойств трехмерных островков InGaP(As), сформированных методом замещения элементов пятой группы
    
    ЖТФ, 90:12 (2020),  2139–2142
12. Влияние параметров короткопериодной сверхрешетки InGaAs/InGaAlAs на эффективность фотолюминесценции
    
    Письма в ЖТФ, 46:22 (2020),  27–30
13. Получение высокопроводящих и оптически прозрачных пленок со структурой мультиграфена путем карбонизации полиимидных пленок Ленгмюра–Блоджетт
    
    Письма в ЖТФ, 45:9 (2019),  50–54