Романович Дмитрий Николаевич

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Исследование динамики разогрева в квазинепрерывном режиме активной области мощных полупроводниковых лазеров (1060 нм) со сверхширокой излучающей апертурой (800 мкм)
   
   Квантовая электроника, 52:9 (2022),  794–798
2. Квазинепрерывные мощные полупроводниковые лазеры (1060 нм) со сверхширокой излучающей апертурой
   
   Квантовая электроника, 52:4 (2022),  340–342
3. Мощные импульсные полупроводниковые лазеры (910 нм) мезаполосковой конструкции со сверхширокой излучающей апертурой на основе туннельно-связанных гетероструктур InGaAs/AlGaAs/GaAs
   
   Квантовая электроника, 52:2 (2022),  174–178
4. Исследование пространственной динамики включения лазера-тиристора (905 нм) на основе многопереходной гетероструктуры AlGaAs/InGaAs/GaAs
   
   Физика и техника полупроводников, 55:5 (2021),  466–472
5. Анализ пороговых условий и эффективности генерации замкнутых мод в больших прямоугольных резонаторах на основе лазерных гетероструктур AlGaAs/GaAs/InGaAs
   
   Физика и техника полупроводников, 55:5 (2021),  460–465
6. Исследование динамики выходной оптической мощности полупроводниковых лазеров (1070 nm) с маломодовым латеральным волноводом мезаполосковой конструкции при сверхвысоких токах накачки
   
   Письма в ЖТФ, 47:7 (2021),  42–45
7. Мощные полупроводниковые гибридные импульсные лазерные излучатели в диапазоне длин волн 900–920 нм
   
   Квантовая электроника, 51:10 (2021),  912–914
8. Модель управления конкуренцией замкнутых модовых структур в прямоугольных резонаторах большого размера на основе лазерных гетероструктур AlGaAs/InGaAs/GaAs
   
   Физика и техника полупроводников, 54:5 (2020),  484–489
9. Исследования процессов транспорта носителей заряда в изотипных гетероструктурах типа $n^{+}$-GaAs/$n^{0}$-GaAs/$n^{+}$-GaAs с тонким широкозонным барьером AlGaAs
   
   Физика и техника полупроводников, 54:5 (2020),  452–457
10. Особенности формирования замкнутых модовых структур в прямоугольных резонаторах на основе гетероструктур InGaAs/AlGaAs/GaAs для мощных полупроводниковых лазеров
    
    Физика и техника полупроводников, 53:6 (2019),  839–843
11. Особенности транспорта носителей заряда в структурах $n^{+}$–$n^{0}$–$n^{+}$ с гетеропереходом GaAs/AlGaAs при сверхвысоких плотностях тока
    
    Физика и техника полупроводников, 53:6 (2019),  816–823
12. Экспериментальные исследования динамики распространения включенного состояния низковольтных лазеров-тиристоров на основе гетероструктур AlGaAs/InGaAs/GaAs
    
    Письма в ЖТФ, 45:8 (2019),  7–11