|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru
-
Модификация приповерхностных слоев альфа оксида галлия при облучении сверхбольшими дозами ионов
Физика и техника полупроводников, 58:9 (2024), 513–523
-
Анализ параметров индивидуальных каскадов столкновений при облучении Ga$_2$O$_3$ атомарными и молекулярными ионами
Физика и техника полупроводников, 57:9 (2023), 738–742
-
Накопление структурных нарушений при облучении $\alpha$-Ga$_2$O$_3$ ионами P и PF$_4$
Физика и техника полупроводников, 56:9 (2022), 882–887
-
Формирование наночастиц Au и особенности травления подложки Si после облучения атомарными и молекулярными ионами
Физика и техника полупроводников, 54:1 (2020), 90–96
-
Влияют ли химические эффекты на накопление структурных нарушений при имплантации в GaN ионов фтора?
Физика и техника полупроводников, 53:11 (2019), 1455–1458
-
Влияние добавления диборана на свойства плазмохимически осаждаемых углеродных пленок
Письма в ЖТФ, 43:1 (2017), 80–88
-
Дислокационная фотолюминесценция в кремнии, имплантированном ионами фтора
Письма в ЖТФ, 43:1 (2017), 14–20
-
Влияние повышения плотности каскадов столкновений на эффективность генерации первичных смещений при ионной бомбардировке Si
Физика и техника полупроводников, 50:8 (2016), 1009–1015
-
Нелинейный оптический эффект при облучении GaN малыми кластерными ионами
Физика и техника полупроводников, 48:4 (2014), 462–466
-
Накопление структурных нарушений при облучении кремния ионами PF$_n^+$ различных энергий
Физика и техника полупроводников, 47:2 (2013), 206–210
-
Вторично-эмиссионные методы исследования структуры и состава приповерхностных слоев твердых тел
УФН, 122:3 (1977), 528–529
© , 2026