Публикации в базе данных Math-Net.Ru
-
Оптические свойства и механизм образования вакансионно-кислородных комплексов V$_{2}$O$_{2}$ и V$_{3}$O$_{2}$ в облученных кристаллах кремния
Физика и техника полупроводников, 52:9 (2018), 973–979
-
Радиационно-индуцированные бистабильные центры с глубокими уровнями в кремниевых $n^{+}$–$p$-структурах
Физика и техника полупроводников, 50:6 (2016), 767–771
-
Образование и отжиг метастабильных комплексов межузельный кислород-межузельный углерод в кремнии $n$- и $p$-типа
Физика и техника полупроводников, 48:11 (2014), 1492–1498
-
Об акцепторных уровнях дивакансии в кремнии
Физика и техника полупроводников, 26:11 (1992), 2006–2010
-
Кинетика образования термодоноров в кристаллах Si $\langle\text{Ge, O}\rangle$
Физика и техника полупроводников, 26:4 (1992), 682–690
-
Перестраивающиеся термодоноры в кремнии
Физика и техника полупроводников, 18:3 (1984), 526–531
© , 2026