Публикации в базе данных Math-Net.Ru
-
Влияние энергии бомбардирующих электронов на проводимость эпитаксиальных слоев $n$-4$H$-SiC (CVD)
Физика и техника полупроводников, 51:3 (2017), 311–316
-
Управление электронными состояниями мелкого донора при помощи металлического затвора конечных размеров
Физика и техника полупроводников, 50:1 (2016), 89–96
-
Фотоэлектрическая релаксационная спектроскопия дефектов в монокристаллах синтетического алмаза
Физика твердого тела, 57:11 (2015), 2212–2217
-
Образование и отжиг метастабильных комплексов межузельный кислород-межузельный углерод в кремнии $n$- и $p$-типа
Физика и техника полупроводников, 48:11 (2014), 1492–1498
-
Перестраивающиеся термодоноры в кремнии
Физика и техника полупроводников, 18:3 (1984), 526–531
© , 2026