Соболев Михаил Михайлович

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Выявление условий формирования глубоких состояний дислокаций несоответствия и DX-центров в гетероэпитаксиальных слаболегированных Al$_x$Ga$_{1-x}$As$_{1-y}$Sb$_y$/GaAs-слоях
   
   Физика и техника полупроводников, 59:3 (2025),  165–170
2. Выявление основных каналов рекомбинации в слабо легированных слоях GaAs $p$–$i$–$n$-диодов до и после облучения 1 МэВ нейтронами
   
   Физика и техника полупроводников, 58:8 (2024),  453–460
3. Дефекты с глубокими уровнями в высоковольтных плавных $p$–$i$–$n$-гетеропереходах AlGaAsSb/GaAs
   
   Физика и техника полупроводников, 57:8 (2023),  644–647
4. Влияние нейтронного облучения на спектр дефектов с глубокими уровнями в GaAs, изготовленном методом жидкофазной эпитаксии в атмосфере водорода и аргона
   
   Физика и техника полупроводников, 56:1 (2022),  53–60
5. Емкостная спектроскопия гетероэпитакиальных AlGaAs/GaAs $p$–$i$–$n$-структур
   
   Физика и техника полупроводников, 54:10 (2020),  1072–1078
6. Влияние эффекта перколяции на температурные зависимости вольт-фарадных характеристик гетероструктур на основе композитных слоев наночастиц кремния и золота
   
   Физика и техника полупроводников, 53:10 (2019),  1431–1436
7. Влияние глубоких уровней дислокаций в гетероэпитаксиальных InGaAs/GaAs и GaAsSb/GaAs $p$–$i$–$n$-структурах на время релаксации неравновесных носителей
   
   Физика и техника полупроводников, 52:2 (2018),  177–183
8. Выявление пространственного и квантового ограничения Si-наночастиц, нанесенных методом лазерного электродиспергирования на кристаллический Si
   
   Письма в ЖТФ, 44:7 (2018),  30–38
9. Исследования глубоких уровней GaAs $p$–$i$–$n$-структур
   
   Физика и техника полупроводников, 50:7 (2016),  941–945
10. Эмиссионные спектры лазера на сверхрешетке квантовых точек In(Ga)As/GaAs
    
    Физика и техника полупроводников, 49:10 (2015),  1379–1385
11. Влияние толщины прослойки GaAs на квантовое связывание и оптическую поляризацию вертикально-коррелированной 10-слойной системы квантовых точек InAs/GaAs
    
    Физика и техника полупроводников, 48:8 (2014),  1059–1064
12. Поляризационные зависимости электролюминесценции и поглощения вертикально-коррелированных InAs/GaAs-квантовых точек
    
    Физика и техника полупроводников, 46:1 (2012),  96–102
13. Оптическое поглощение в сверхрешетках квантовых точек InAs/GaAs в электрическом поле при комнатной температуре
    
    Физика и техника полупроводников, 45:8 (2011),  1095–1101
14. Пассивная синхронизация мод в лазерах на сверхрешетке из квантовых точек
    
    Письма в ЖТФ, 37:18 (2011),  31–36
15. Состояния Ваннье–Штарка в сверхрешетке квантовых точек InAs/GaAs
    
    Физика и техника полупроводников, 44:6 (2010),  790–794
16. Механизм деградации (GaAs/AlGaAs)-лазера с квантовой ямой
    
    Физика и техника полупроводников, 26:10 (1992),  1760–1767
17. Исследования глубоких центров в нелегированном GaAs с помощью электронного зонда
    
    Физика и техника полупроводников, 18:2 (1984),  383–385