Львова Татьяна Викторовна

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Эволюция состава естественного окисла на поверхности Al$_{0.3}$Ga$_{0.7}$As(100) при взаимодействии с водным раствором сульфида натрия
   
   Физика и техника полупроводников, 58:11 (2024),  636–643
2. Пассивация поверхностей AlGaAs(100) растворами сульфида аммония
   
   Физика и техника полупроводников, 58:6 (2024),  302–312
3. Взаимосвязь электронной и атомной структуры пассивированных поверхностей $n$-InP(100)
   
   Физика и техника полупроводников, 56:7 (2022),  659–666
4. Модификация электронных свойств поверхности $n$-InP(100) сульфидными растворами
   
   Физика и техника полупроводников, 55:10 (2021),  895–900
5. Оптические и электронные свойства пассивированных поверхностей InP(001)
   
   Физика и техника полупроводников, 55:8 (2021),  644–648
6. Синтез гексагональных слоев AlN и GaN на Si(100)-подложке методом хлоридной газофазной эпитаксии
   
   ЖТФ, 89:4 (2019),  574–577
7. Эволюция физико-химических свойств поверхности GaSb(100) в растворах сульфида аммония
   
   Физика и техника полупроводников, 53:7 (2019),  908–916
8. Гексагональные слои AlN, выращенные на сульфидированной Si(100)-подложке
   
   Письма в ЖТФ, 44:2 (2018),  96–103
9. Влияние растворителя сульфида аммония на пассивацию поверхности GaSb(100)
   
   Физика и техника полупроводников, 51:8 (2017),  1138–1145
10. Фотоотражение антимонида индия
    
    Физика твердого тела, 58:12 (2016),  2307–2313
11. Sulfur passivation of semi-insulating GaAs: transition from Coulomb blockade to weak localization regime
    
    Физика и техника полупроводников, 50:4 (2016),  474–484
12. Влияние сульфидной пассивации на люминесценцию микродисков с квантовыми ямами и квантовыми точками
    
    Письма в ЖТФ, 41:13 (2015),  86–94
13. Химическая пассивация подложек InSb (100) в водных растворах сульфида натрия
    
    Физика и техника полупроводников, 47:5 (2013),  710–716
14. Электронная оже-спектроскопия и спектроскопия анизотропного отражения монослойных нитридных пленок на поверхностях (001) кристаллов GaAs и GaSb
    
    Физика и техника полупроводников, 46:11 (2012),  1463–1467
15. Нитридная химическая паcсивация поверхности GaAs (100): влияние на электрические характеристики поверхностно-барьерных структур Au/GaAs
    
    Физика и техника полупроводников, 45:12 (2011),  1637–1641
16. Сульфидная пассивация полупроводников A$^{3}$B$^{5}$: модельные представления и эксперимент
    
    Физика твердого тела, 34:6 (1992),  1713–1718
17. Анизотропия оптического отражения арсенида галлия в области края фундаментального поглощения
    
    Физика и техника полупроводников, 26:7 (1992),  1264–1268
18. О кинетике нарастания вентильной фотоэдс барьерной структуры
    
    Физика и техника полупроводников, 18:7 (1984),  1256–1262