Публикации в базе данных Math-Net.Ru
-
Структурные, электрические и оптические свойства 4$H$-SiC для ультрафиолетовых фотоприемников
Физика и техника полупроводников, 54:12 (2020), 1368–1373
-
Влияние температуры на характеристики 4$H$-SiC-фотоприемника
Физика и техника полупроводников, 54:2 (2020), 195–201
-
Облучение протонами 4$H$-SiC фотоприемников с барьером Шоттки
Физика и техника полупроводников, 53:6 (2019), 856–861
-
Квантовая эффективность 4$H$-SiC-детекторов в диапазоне 114–400 nm
Письма в ЖТФ, 42:20 (2016), 73–78
-
Облучение тяжелыми ионами 4H-SiC детекторов ультрафиолетового излучения
Физика и техника полупроводников, 49:4 (2015), 550–556
-
Высокотемпературный радиационно стойкий выпрямитель на основе $p^+$–$n$-переходов в 4H-SiC, ионно-легированном алюминием
Физика и техника полупроводников, 44:6 (2010), 807–816
-
Влияние температурного отжига на свойства пленок $\alpha$-Si$_{1-x}$C$_{x}$ : H (${0<x\leqslant1}$)
Физика твердого тела, 34:1 (1992), 326–328
© , 2026