Коньков Олег Игоревич

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Анизотропные “рентгенодифракционные” размеры кристаллитов эллипсоидной формы порошков катодного LiFePO$_4$
   
   Письма в ЖТФ, 50:1 (2024),  5–9
2. Особенности спектров комбинационного рассеяния света в области линии 2100 cm$^{-1}$ углеродными образованиями в тонких градиентных пленках золота
   
   Физика твердого тела, 65:4 (2023),  618–623
3. Неупругое рассеяние света самосформированными линейно-цепочными агрегатами углеродных атомов в островковых пленках золота
   
   Физика твердого тела, 64:4 (2022),  505–510
4. Высоковольтные лавинные 4$H$-SiC диоды с прямой фаской
   
   Физика и техника полупроводников, 55:4 (2021),  349–353
5. Высоковольтные 4$H$-SiC диоды Шоттки с полевой обкладкой
   
   Физика и техника полупроводников, 55:2 (2021),  188–194
6. Влияние текстурирования поверхности пластин кремния для солнечных фотопреобразователей на их прочностные свойства
   
   ЖТФ, 90:7 (2020),  1168–1174
7. Микропрофилирование 4$H$-SiC сухим травлением в технологии формирования структуры полевого транзистора с затвором Шоттки
   
   Физика и техника полупроводников, 54:1 (2020),  97–102
8. Высоковольтные (1600 V) размыкатели тока с субнаносекундным (150 ps) быстродействием на основе 4$H$-SiC
   
   Письма в ЖТФ, 44:3 (2018),  3–8
9. Динамические характеристики дрейфовых диодов с резким восстановлением на основе 4H-SiC
   
   Физика и техника полупроводников, 49:11 (2015),  1558–1562
10. Сопротивление 4H-SiC барьеров Шоттки при высоких плотностях прямого тока
    
    Физика и техника полупроводников, 49:7 (2015),  951–955
11. Модификация структуры и протекание тока в массиве углеродных однослойных нанотрубок
    
    Физика твердого тела, 56:7 (2014),  1411–1414
12. Сбор фотоносителей в высокоомных кремниевых аморфно-кристаллических гетероструктурах
    
    Физика и техника полупроводников, 48:9 (2014),  1198–1204
13. Фоточувствительность кремниевых аморфно-кристаллических гетероструктур с инверсионным каналом
    
    Письма в ЖТФ, 40:9 (2014),  72–79
14. Изменение структуры пленок аморфного гидрогенизированного кремния и концентрации водорода в них при фемтосекундной лазерной кристаллизации
    
    Письма в ЖТФ, 40:4 (2014),  1–8
15. Измерение микроколичеств титана на развитой поверхности кремния с помощью ячеек на основе перфторированных протонпроводящих мембран
    
    ЖТФ, 83:5 (2013),  147–150
16. Особенности наносекундных вольт-амперных характеристик массива углеродных нанотрубок
    
    Письма в ЖТФ, 39:6 (2013),  67–73
17. Перколяция, самоорганизованная критичность и электрическая неустойчивость в углеродных наноструктурах
    
    Физика твердого тела, 54:11 (2012),  2189–2192
18. Углеродные наноструктуры как пример самоорганизованной критичности
    
    Физика твердого тела, 54:3 (2012),  600–603
19. Влияние фемтосекундного лазерного облучения пленок аморфного гидрогенизированного кремния на их структурные, оптические и фотоэлектрические свойства
    
    Физика и техника полупроводников, 46:6 (2012),  769–774
20. Токи утечки в 4H-SiC-диодах Шоттки с интегрированной шоттки–($p$–$n$-структурой)
    
    Физика и техника полупроводников, 46:3 (2012),  411–415
21. Вольт-амперные характеристики высоковольтных 4H-SiC-диодов с барьером Шоттки высотой 1.1 эВ
    
    Физика и техника полупроводников, 45:10 (2011),  1427–1430
22. Высоковольтные (3.3 кВ) JBS-диоды на основе 4H-SiC
    
    Физика и техника полупроводников, 45:5 (2011),  677–681
23. Особенности слоев аморфного кремния, полученных методом стимулированного плазмой осаждения из газовой фазы, содержащей четырехфтористый кремний
    
    Физика и техника полупроводников, 45:3 (2011),  312–315
24. Компактный источник тока на основе воздушно-водородных топливных элементов со свободно-дышащими катодами
    
    Письма в ЖТФ, 37:9 (2011),  45–54
25. Об “избыточных” токах утечки в высоковольтных диодах Шоттки на основе 4H-SiC
    
    Физика и техника полупроводников, 44:5 (2010),  680–683
26. Влияние температурного отжига на свойства пленок $\alpha$-Si$_{1-x}$C$_{x}$ : H (${0<x\leqslant1}$)
    
    Физика твердого тела, 34:1 (1992),  326–328