|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru
-
2D экситоны в множественных одномонослойных квантовых ямах GaN/AlN
Письма в ЖЭТФ, 113:8 (2021), 507–513
-
Ферстеровский резонансный перенос энергии с участием светлых и темных экситонов в массивах эпитаксиальных квантовых точек CdSe/ZnSe
Физика твердого тела, 60:8 (2018), 1575–1579
-
Metal-semiconductor nanoheterostructures with an AlGaN quantum well and in-situ formed surface Al nanoislands
Физика и техника полупроводников, 52:5 (2018), 515
-
Ширина линии излучения и $\alpha$-фактор одномодовых вертикально-излучающих лазеров спектрального диапазона 850 нм на основе квантовых ям InGaAs/AlGaAs
Физика и техника полупроводников, 52:1 (2018), 98–104
-
Ширина линии излучения и $\alpha$-фактор одномодовых вертикально-излучающих лазеров спектрального диапазона 850 нм на основе квантовых ям InGaAs/AlGaAs
Физика и техника полупроводников, 51:12 (2017), 1697
-
Молекулярно-пучковая эпитаксия короткопериодных сверхрешеток ZnSSe/CdSe для применения в многопереходных солнечных элементах A$^{\mathrm{III}}$B$^{\mathrm{V}}$/A$^{\mathrm{II}}$B$^{\mathrm{VI}}$
Физика и техника полупроводников, 49:8 (2015), 1024–1030
-
Оптические исследования вертикального транспорта носителей в переменно-напряженной сверхрешетке ZnS$_{0.4}$Se$_{0.6}$/CdSe
Физика и техника полупроводников, 49:3 (2015), 364–369
-
Транспортные параметры и оптические свойства селективно-легированных гетеровалентных структур Ga(Al)As/Zn(Mn)Se с двумерным дырочным каналом
Физика и техника полупроводников, 48:1 (2014), 32–35
-
Фотолюминесценция пористого кремния, пропитанного вольфрам-теллуритным стеклом с примесями редкоземельных металлов
Физика твердого тела, 53:12 (2011), 2294–2298
© , 2026