RUS  ENG
Полная версия
ПЕРСОНАЛИИ

Европейцев Евгений Андреевич

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

  1. 2D экситоны в множественных одномонослойных квантовых ямах GaN/AlN

    Письма в ЖЭТФ, 113:8 (2021),  507–513
  2. Ферстеровский резонансный перенос энергии с участием светлых и темных экситонов в массивах эпитаксиальных квантовых точек CdSe/ZnSe

    Физика твердого тела, 60:8 (2018),  1575–1579
  3. Metal-semiconductor nanoheterostructures with an AlGaN quantum well and in-situ formed surface Al nanoislands

    Физика и техника полупроводников, 52:5 (2018),  515
  4. Ширина линии излучения и $\alpha$-фактор одномодовых вертикально-излучающих лазеров спектрального диапазона 850 нм на основе квантовых ям InGaAs/AlGaAs

    Физика и техника полупроводников, 52:1 (2018),  98–104
  5. Ширина линии излучения и $\alpha$-фактор одномодовых вертикально-излучающих лазеров спектрального диапазона 850 нм на основе квантовых ям InGaAs/AlGaAs

    Физика и техника полупроводников, 51:12 (2017),  1697
  6. Молекулярно-пучковая эпитаксия короткопериодных сверхрешеток ZnSSe/CdSe для применения в многопереходных солнечных элементах A$^{\mathrm{III}}$B$^{\mathrm{V}}$/A$^{\mathrm{II}}$B$^{\mathrm{VI}}$

    Физика и техника полупроводников, 49:8 (2015),  1024–1030
  7. Оптические исследования вертикального транспорта носителей в переменно-напряженной сверхрешетке ZnS$_{0.4}$Se$_{0.6}$/CdSe

    Физика и техника полупроводников, 49:3 (2015),  364–369
  8. Транспортные параметры и оптические свойства селективно-легированных гетеровалентных структур Ga(Al)As/Zn(Mn)Se с двумерным дырочным каналом

    Физика и техника полупроводников, 48:1 (2014),  32–35
  9. Фотолюминесценция пористого кремния, пропитанного вольфрам-теллуритным стеклом с примесями редкоземельных металлов

    Физика твердого тела, 53:12 (2011),  2294–2298


© МИАН, 2026