Кладько В П

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Кластеризация марганца в ZnS : Mn, Mg, полученного методом высокотемпературного самораспространяющегося синтеза
   
   Физика и техника полупроводников, 54:3 (2020),  259–265
2. Особенности температурной зависимости удельного контактного сопротивления диффузионных кремниевых структур Au–Ti–Pd–$n^{+}$–$n$-Si
   
   Физика и техника полупроводников, 53:4 (2019),  485–492
3. Температурные зависимости удельного контактного сопротивления в омических контактах к $n^+$-InN
   
   Физика и техника полупроводников, 49:4 (2015),  472–482
4. Эффект структурирования гетероэпитаксиальных систем CdHgTe/CdZnTe при облучении ионами серебра
   
   Физика твердого тела, 56:11 (2014),  2091–2096
5. Интегральная схема СВЧ-модулятора сантиметрового диапазона на слоях поликристаллической алмазной пленки
   
   ЖТФ, 83:3 (2013),  113–117
6. Механизм формирования контактного сопротивления к A$^3$N гетероструктурам с высокой плотностью дислокаций
   
   Физика и техника полупроводников, 47:9 (2013),  1191–1195
7. Особенности легирования порошкообразного ZnS примесью Mn в процессе синтеза и последующего отжига
   
   Физика и техника полупроводников, 47:5 (2013),  702–709
8. К вопросу о механизме формирования контактного сопротивления на шлифованных образцах $n$-Si
   
   Физика и техника полупроводников, 47:3 (2013),  426–431
9. Эффекты латерального упорядочения самоорганизованных наноостровков SiGe, выращенных на напряженных буферных слоях Si$_{1-x}$Ge$_x$
   
   Физика и техника полупроводников, 46:5 (2012),  665–672
10. Структурные превращения в ZnS:Cu в процессе термического отжига
    
    Физика и техника полупроводников, 46:2 (2012),  198–203
11. Эволюция деформационного состояния и компонентного состава при изменении количества квантовых ям в многослойных структурах InGaN/GaN
    
    Физика и техника полупроводников, 45:6 (2011),  770–777
12. Влияние перегрева $p$–$n$-перехода на деградацию мощных импульсных кремниевых лавинно-пролетных диодов
    
    Физика и техника полупроводников, 45:2 (2011),  256–262
13. Диффузное рассеяние рентгеновских лучей на системах с квантовыми точками эллипсоидальной формы
    
    Письма в ЖТФ, 37:8 (2011),  41–48
14. Радиационные эффекты и межфазные взаимодействия в омических и барьерных контактах к фосфиду индия, стимулированные быстрыми термическими обработками и облучением $\gamma$-квантами $^{60}$Co
    
    Физика и техника полупроводников, 44:12 (2010),  1607–1614
15. Рентгеновская дифрактометрия и сканирующая микро-рамановская спектроскопия неоднородностей структуры и деформаций по глубине многослойной гетероструктуры InGaN/GaN
    
    Физика и техника полупроводников, 44:9 (2010),  1236–1247
16. Эффект дальнодействия в монокристаллах GaAs с различной плотностью дислокаций
    
    Физика и техника полупроводников, 26:11 (1992),  1932–1937
17. Влияние утоньшения подложки на оптические свойства эпитаксиальных слоев арсенида галлия (эффект дальнодействия)
    
    Физика и техника полупроводников, 26:2 (1992),  368–372
18. Влияние метода утонения подложки на распределение деформационных полей в эпитаксиальных GaAs структурах
    
    Физика твердого тела, 33:11 (1991),  3192–3198