Швец Василий Александрович

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Влияние лучистого теплообмена на температуру роста при молекулярно-лучевой эпитаксии слоев HgCdTe
   
   Физика и техника полупроводников, 59:3 (2025),  153–159
2. Температурная зависимость спектров оптических постоянных CdTe в области края поглощения
   
   Оптика и спектроскопия, 131:9 (2023),  1213–1218
3. Эллипсометрический in situ контроль процессов роста буферных слоев ZnTe и CdTe в технологии молекулярно-лучевой эпитаксии кадмий-ртуть-теллура
   
   Физика и техника полупроводников, 57:6 (2023),  469–475
4. Исследование температурной зависимости спектров оптических постоянных пленок Hg$_{1-x}$Cd$_{x}$Te, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии
   
   Оптика и спектроскопия, 129:1 (2021),  33–40
5. In situ эллипсометрический мониторинг состава и температуры слоeв HgCdTe в процессе их роста
   
   Физика и техника полупроводников, 55:12 (2021),  1240–1247
6. Образование акцепторных центров в CdHgTe под воздействием воды и термообработок
   
   Физика и техника полупроводников, 55:4 (2021),  331–335
7. Параметрическая модель спектров оптических постоянных Hg$_{1-x}$Cd$_{x}$Te и определение состава соединения
   
   Оптика и спектроскопия, 128:12 (2020),  1815–1820
8. Маска на основе эпитаксиального слоя Si для самокаталитического роста нитевидных нанокристаллов на подложках GaAs (111)$B$ и (100)
   
   Письма в ЖТФ, 46:4 (2020),  11–14
9. Определение профиля состава квантовых ям HgTe/Cd$_{x}$Hg$_{1-x}$Te методом одноволновой эллипсометрии
   
   Оптика и спектроскопия, 127:2 (2019),  318–324
10. Эллипсометрический метод измерения температуры буферных слоев CdTe в технологии молекулярно-лучевой эпитаксии CdHgTe
    
    Физика и техника полупроводников, 53:1 (2019),  137–142
11. Эллипсометрическая методика определения показателя поглощения полупроводниковых нанослоев in situ
    
    ЖТФ, 84:5 (2014),  109–112
12. Исследование оптических и структурных свойств оксидных пленок на InP методом спектральной эллипсометрии
    
    ЖТФ, 83:11 (2013),  92–99
13. Исследования магнитооптических свойств тонких слоев Fe in situ методами
    
    ЖТФ, 83:10 (2013),  139–142
14. Эллипсометрическая экспресс-методика определения толщины и профилей оптических постоянных в процессе роста наноструктур Fe/SiO$_2$/Si(100)
    
    ЖТФ, 82:9 (2012),  44–48
15. Контроль состава гетероэпитаксиальных слоев Cd$_{1-z}$Zn$_z$Te методом спектральной эллипсометрии
    
    Физика и техника полупроводников, 44:1 (2010),  62–68