Публикации в базе данных Math-Net.Ru
-
К вопросу о туннелировании сквозь промежуточный (19$-$50 Å) окисный слой кремниевой ПТДП структуры
Физика твердого тела, 34:5 (1992), 1465–1472
-
Эффект усиления фототока в структурах полупроводник$-$туннельно-прозрачный диэлектрик$-$полупроводник
Физика и техника полупроводников, 26:2 (1992), 295–304
-
Вольт-амперные и вольт-фарадные характеристики кремниевых ПДП структур с толщиной диэлектрика менее 50 ангстрем
Физика и техника полупроводников, 26:1 (1992), 146–149
-
Кинетика окисления кремния и структура окисных слоев толщиной менее 50 ангстрем
Физика и техника полупроводников, 26:1 (1992), 111–121
-
Процессы токопрохождения сквозь туннельно-прозрачный диэлектрик ПТДП-структуры
Физика твердого тела, 33:6 (1991), 1784–1791
© , 2026