Феоктистов Николай Александрович

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Пространственно-периодические гибридные структуры на основе пленок опала, покрытых слоем $a$-Si:C:H: синтез и излучающие свойства
   
   Оптика и спектроскопия, 133:10 (2025),  1054–1058
2. Увеличение эффективности сбора излучения центров окраски кремний-вакансия из алмазных микроскопических полусфер с помощью стеклянной микросферы
   
   Оптика и спектроскопия, 133:10 (2025),  1045–1047
3. Влияние легирования бором на люминесцентные свойства полученных методом газофазного осаждения алмазных частиц с центрами окраски кремний–вакансия и германий–вакансия
   
   Физика твердого тела, 64:10 (2022),  1525–1530
4. Фотолюминесценция центров окраски германий-вакансия в полученных химическим газофазным осаждением алмазных частицах
   
   Физика твердого тела, 62:5 (2020),  807–813
5. Двухстадийная конверсия кремния в наноструктурированный углерод методом согласованного замещения атомов
   
   Физика твердого тела, 61:3 (2019),  587–593
6. Темплатный синтез монодисперсных сферических нанопористых частиц кремния субмикронного размера
   
   Физика и техника полупроводников, 53:8 (2019),  1068–1073
7. Сферический распределенный брэгговский отражатель cо всенаправленной стоп-зоной в ближней ИК-области спектра
   
   Физика и техника полупроводников, 53:7 (2019),  917–921
8. ИК-спектры углерод-вакансионных кластеров при топохимическом превращении кремния в карбид кремния
   
   Физика твердого тела, 59:12 (2017),  2403–2408
9. Новые линии люминесценции в полученных методом химического газофазного осаждения наноалмазах
   
   Физика твердого тела, 59:12 (2017),  2382–2386
10. Фотоэлектрические характеристики структур карбид кремния–кремний, выращенных методом замещения атомов в кристаллической решетке кремния
    
    Физика и техника полупроводников, 51:5 (2017),  651–658
11. Сферический распределенный брэгговский отражатель на основе $a$-Si$_{1-x}$C$_{x}$ : H и $a$-SiO$_{2}$
    
    Письма в ЖТФ, 43:19 (2017),  35–42
12. Эпитаксиальный оксид галлия на подложках SiC/Si
    
    Физика твердого тела, 58:9 (2016),  1812–1817
13. Люминесцентный асимметричный планарный волновод на основе аморфного карбида кремния с поляризованным излучением в модах утечки
    
    ЖТФ, 86:5 (2016),  118–123
14. Инфракрасная спектроскопия слоев карбида кремния, синтезированных методом замещения атомов на поверхности монокристаллического кремния
    
    Физика твердого тела, 57:12 (2015),  2469–2474
15. Эволюция морфологии алмазных частиц и механизма их роста в процессе синтеза методом газофазного осаждения
    
    Физика твердого тела, 57:11 (2015),  2125–2130
16. Моды шепчущей галереи в сферическом микрорезонаторе с фотолюминесцентной оболочкой
    
    Физика и техника полупроводников, 49:10 (2015),  1415–1420
17. Определение содержания и энергии связи водорода в алмазных пленках
    
    Письма в ЖТФ, 41:11 (2015),  56–61
18. Синтез эпитаксиальных пленок карбида кремния методом замещения атомов в кристаллической решетке кремния (Обзор)
    
    Физика твердого тела, 56:8 (2014),  1457–1485
19. Планарный микрорезонатор с содержащими центры окраски кремний–вакансия люминесцентными алмазными частицами в активном слое
    
    Физика и техника полупроводников, 48:11 (2014),  1543–1548
20. Планарные светоизлучающие микрорезонаторы на основе гидрогенизированного аморфного карбида кремния
    
    Физика и техника полупроводников, 48:10 (2014),  1409–1415
21. Газофазный синтез на поверхности синтетического опала изолированных сферических алмазных частиц с введенными центрами окраски кремний–вакансия
    
    Физика и техника полупроводников, 48:2 (2014),  283–286
22. Эпитаксия полуполярного GaN на подложке Si(001) с буферным слоем SiC
    
    Письма в ЖТФ, 40:9 (2014),  48–54
23. Эпитаксиальный карбид кремния на 6-дюймовой пластине кремния
    
    Письма в ЖТФ, 40:1 (2014),  71–79
24. Подвижность носителей заряда в нелегированных слоях SiC, выращенных новым методом эпитаксии на Si
    
    Письма в ЖТФ, 39:10 (2013),  81–88
25. Сферические микрорезонаторы с люминесцентной оболочкой $a$-Si : C : H
    
    Письма в ЖТФ, 39:7 (2013),  51–57
26. Светодиод на основе III-нитридов на кремниевой подложке с эпитаксиальным нанослоем карбида кремния
    
    Письма в ЖТФ, 38:6 (2012),  90–95
27. Аэрозольное нанесение детонационных наноалмазов в качестве зародышей роста нанокристаллических алмазных пленок и изолированных частиц
    
    ЖТФ, 81:5 (2011),  132–138
28. Структурная характеризация эпитаксиальных слоев GaN на кремнии: влияние буферных слоев
    
    Письма в ЖТФ, 37:7 (2011),  72–79
29. Прозрачные и проводящие наноалмазные пленки, легированные бором
    
    Письма в ЖТФ, 37:7 (2011),  64–71
30. Нитрид алюминия на кремнии: роль промежуточного SiC слоя и технологии хлоридной газофазной эпитаксии
    
    Письма в ЖТФ, 36:11 (2010),  17–23
31. Электролюминесценция в $p{-}i{-}n$-структурах на основе $a$-Si$_{1-x}$C$_{x}$ : H
    
    Физика и техника полупроводников, 26:4 (1992),  750–754
32. Электронные состояния в аморфном полупроводнике с подвижными примесями. Термостимулированные процессы $a$-Si : H
    
    Физика твердого тела, 32:12 (1990),  3599–3612