Марков Лев Константинович

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Влияние промежуточного слоя на процесс формирования и свойства наноструктурированных пленок ITO
   
   Письма в ЖТФ, 51:20 (2025),  50–54
2. Лазерная генерация в дисковых микроструктурах InGaN/GaN/AlGaN на кремнии
   
   Письма в ЖТФ, 51:11 (2025),  41–45
3. Особенности осаждения оксида алюминия на массив нитевидных нанокристаллов ITO
   
   Физика твердого тела, 66:12 (2024),  2099–2101
4. Модификация структуры нанокристаллических пленок оксида индия и олова
   
   Физика и техника полупроводников, 58:6 (2024),  297–301
5. Формирование рассеивающего свет микрорельефа при атомно-слоевом осаждении диэлектрика на наноструктурированные пленки оксида индия-олова
   
   Физика твердого тела, 65:12 (2023),  2148–2150
6. Влияние кислорода на процесс формирования наноструктурированных пленок оксида индия-олова
   
   Физика твердого тела, 65:12 (2023),  2079–2082
7. Тонкопленочный светодиод на основе слоев AlInGaN, выращенных на гибридных подложках SiC/Si
   
   Письма в ЖТФ, 49:15 (2023),  3–6
8. Теплопроводность гибридных подложек SiC/Si для роста светодиодных гетероструктур
   
   Письма в ЖТФ, 49:14 (2023),  19–21
9. Исследование особенностей нанесения нанослоев Al$_2$O$_3$ методом атомно-слоевого осаждения на структурированные пленки ITO
   
   Физика и техника полупроводников, 56:8 (2022),  825–830
10. Просветляющие покрытия на основе ZnO, полученные методом электронно-лучевого испарения
    
    Физика и техника полупроводников, 55:12 (2021),  1248–1254
11. Применение метода атомно-слоевого осаждения для получения наноструктурированных покрытий ITO/Al$_{2}$O$_{3}$
    
    Физика и техника полупроводников, 55:4 (2021),  365–372
12. Светодиод на основе AlInGaN-гетероструктур, выращенных на подложках SiC/Si и технология его изготовления
    
    Письма в ЖТФ, 47:18 (2021),  3–6
13. Комбинация плазмохимического и жидкостного травления как способ оптимизации рельефа на поверхности AlGaInN-гетероструктур
    
    Физика и техника полупроводников, 54:10 (2020),  1106–1111
14. Модификация рельефа $n$-поверхности AlGaInN-светодиодов изменением состава газовой смеси при реактивном ионном травлении
    
    Физика и техника полупроводников, 54:6 (2020),  564–569
15. Высоковольтные светодиодные кристаллы AlInGaN
    
    Физика и техника полупроводников, 53:11 (2019),  1562–1567
16. Наноструктурированные покрытия ITO/SiO$_{2}$
    
    Физика и техника полупроводников, 53:8 (2019),  1052–1057
17. Способ создания просветляющих покрытий для пленок ITO
    
    Физика и техника полупроводников, 53:2 (2019),  181–189
18. Исследование профиля эффективного показателя преломления в самоорганизующихся наноструктурированных пленках ITO
    
    Физика и техника полупроводников, 52:10 (2018),  1228–1236
19. Формирование аморфных наночастиц углерода методом лазерного электродиспергирования
    
    Письма в ЖТФ, 44:5 (2018),  57–62
20. Способ получения пленок ITO с контролируемым значением показателя преломления
    
    Физика и техника полупроводников, 50:7 (2016),  1001–1006
21. Расчет оптимальной конфигурации двухслойной пленки ITO для использования в составе отражающих контактов светодиодов синего и ближнего ультрафиолетового диапазонов
    
    Физика и техника полупроводников, 49:7 (2015),  994–998
22. Применение двухслойных пленок ITO в составе отражающих контактов светодиодов синего и ближнего ультрафиолетового диапазонов
    
    Физика и техника полупроводников, 48:12 (2014),  1713–1718
23. Мощные светодиодные кристаллы AlGaInN с двухуровневой металлизацией
    
    Физика и техника полупроводников, 48:9 (2014),  1287–1293
24. Оптимизация технологии нанесения тонких пленок ITO, применяемых в качестве прозрачных проводящих контактов светодиодов синего и ближнего ультрафиолетового диапазонов
    
    Физика и техника полупроводников, 48:1 (2014),  61–66
25. Сравнение свойств светодиодных кристаллов AlGaInN вертикальной и флип-чип конструкции с использованием кремния в качестве платы-носителя
    
    Физика и техника полупроводников, 47:3 (2013),  386–391
26. AlGaInN-светодиоды с прозрачным $p$-контактом на основе тонких пленок ITO
    
    Физика и техника полупроводников, 46:3 (2012),  384–388
27. Увеличение квантовой эффективности флип-чип AlGaInN-светодиодов путем реактивного ионного травления внешней стороны подложек SiC
    
    Физика и техника полупроводников, 44:5 (2010),  684–687
28. Влияние механических напряжений на свойства висмутовой и иттриевой ВТСП керамик
    
    Физика твердого тела, 33:12 (1991),  3595–3597
29. Гистерезис вольт-амперной характеристики ВТСП-керамики, обусловленной захватом магнитного потока
    
    Физика твердого тела, 33:11 (1991),  3308–3314
30. Влияние слабых магнитных полей и транспортного тока на микропластичность ВТСП керамики в области $S\to N$ перехода
    
    Физика твердого тела, 33:7 (1991),  2198–2204
31. Влияние структуры на свойства сверхпроводящей керамики системы Y$-$Ba$-$Cu$-$O
    
    Физика твердого тела, 33:1 (1991),  166–173
32. Влияние одноосного сжатия на вольт-амперные характеристики керамики YBa$_{2}$Cu$_{3}$O$_{7-x}$ в слабых магнитных полях
    
    Физика твердого тела, 32:9 (1990),  2818–2820