Леликов Ю С

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Отделение слабо легированных пленок $n$-GaN микронной толщины от подложек, основанное на эффекте поглощения ИК излучения в сапфире
   
   Физика и техника полупроводников, 51:1 (2017),  116–123
2. Лазерное отделение пленок $n$-GaN от подложек, основанное на эффекте сильного поглощения ИК излучения свободными носителями заряда в $n^{+}$-GaN подложках
   
   Физика и техника полупроводников, 50:5 (2016),  711–716
3. Туннельная инжекция и энергетическая эффективность светодиодов на основе InGaN/GaN
   
   Физика и техника полупроводников, 47:1 (2013),  129–136
4. Влияние хвостов локализованных состояний в InGaN на уменьшение эффективности GaN-светодиодов с ростом плотности тока
   
   Физика и техника полупроводников, 46:8 (2012),  1054–1062
5. Механизм падения эффективности GaN-светодиодов с ростом тока
   
   Физика и техника полупроводников, 44:6 (2010),  822–828
6. Классификация линий дислокационной люминесценции в кремнии
   
   Физика твердого тела, 34:5 (1992),  1513–1521
7. Одномерный дислокационный экситон в кристаллах германия
   
   Физика твердого тела, 32:9 (1990),  2778–2781
8. Расщепление линии дислокационного экситона в кристаллах с неравновесными дислокациями
   
   Физика твердого тела, 32:9 (1990),  2774–2777