Станкевич Алексей Л

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Свойства эпитаксиальных твердых растворов (Al$_x$Ga$_{1-x}$As)$_{1-y}$C$_y$, выращенных МОС-гидридной автоэпитаксией
   
   Физика и техника полупроводников, 47:1 (2013),  9–14
2. Сверхструктурное упорядочение в твердых растворах Al$_x$Ga$_{1-x}$As и Ga$_x$In$_{1-x}$P
   
   Физика и техника полупроводников, 47:1 (2013),  3–8
3. Лазерные диоды, излучающие на длине волны 850 нм, на основе гетероструктур AlGaAsP/GaAs
   
   Физика и техника полупроводников, 46:10 (2012),  1344–1348
4. Температурная зависимость пороговой плотности тока в полупроводниковых лазерах ($\lambda$ = 1050–1070 нм)
   
   Физика и техника полупроводников, 46:9 (2012),  1234–1238
5. Температурная делокализация носителей заряда в полупроводниковых лазерах ($\lambda$ = 1010–1070 нм)
   
   Физика и техника полупроводников, 46:9 (2012),  1230–1233
6. Структурные и спектральные особенности МОС-гидридных твердых растворов Al$_x$Ga$_y$In$_{1-x-y}$As$_z$P$_{1-z}$/ GaAs(100)
   
   Физика и техника полупроводников, 46:6 (2012),  739–750
7. Анализ условий срыва генерации мод резонатора Фабри–Перо в полупроводниковых лазерах с полосковым контактом
   
   Физика и техника полупроводников, 45:10 (2011),  1431–1438
8. Лазеры с сильнонапряженной квантовой ямой GaInAs с компенсирующими слоями GaAsP, излучающие на длине волны 1220 нм, выращенные методом МОС-гидридной эпитаксии на подложке GaAs
   
   Физика и техника полупроводников, 45:10 (2011),  1417–1421
9. Лазеры с сильно напряженной квантовой ямой GaInAs с компенсирующими слоями GaAsP, излучающие на длине волны 1190 нм, выращенные методом МОС-гидридной эпитаксии на подложке GaAs
   
   Физика и техника полупроводников, 45:9 (2011),  1274–1278
10. Спектры электролюминесценции и поглощения полупроводниковых лазеров с низкими оптическими потерями на основе квантово-размерных гетероструктур InGaAs/AlGaAs/GaAs
    
    Физика и техника полупроводников, 45:5 (2011),  682–687
11. Влияние кремния на релаксацию кристаллической решетки в гетероструктурах Al$_x$Ga$_{1-x}$As : Si/GaAs(100), полученных МОС-гидридным методом
    
    Физика и техника полупроводников, 45:4 (2011),  488–499
12. InGaAs/GaAs/AlGaAs-лазеры, излучающие на длине волны 1190 нм, выращенные методом МОС-гидридной эпитаксии на подложке GaAs
    
    Физика и техника полупроводников, 44:12 (2010),  1640–1644
13. Релаксация параметров кристаллической решетки и структурное упорядочение в эпитаксиальных твердых растворах In$_x$Ga$_{1-x}$As
    
    Физика и техника полупроводников, 44:8 (2010),  1140–1146
14. Двухполосная генерация в эпитаксиально интегрированных туннельно-связанных полупроводниковых лазерах
    
    Физика и техника полупроводников, 44:6 (2010),  833–836
15. Температурная делокализация носителей заряда в полупроводниковых лазерах
    
    Физика и техника полупроводников, 44:5 (2010),  688–693
16. Влияние толщины активной области на характеристики полупроводниковых лазеров на основе асимметричных гетероструктур AlGaAs/GaAs/InGaAs с расширенным волноводом
    
    Физика и техника полупроводников, 44:2 (2010),  246–250
17. Двухфотонное поглощение полупроводниковых микрокристаллов с размерным ограничением
    
    Физика твердого тела, 34:5 (1992),  1613–1619
18. Лазерное испарение металлов при критической температуре
    
    Физика твердого тела, 34:3 (1992),  801–805
19. Интерференционная пикосекундная диагностика плазменно-индуцированного показателя преломления GaAs
    
    Физика твердого тела, 32:9 (1990),  2689–2693