Романов Вячеслав Витальевич

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Проводимость наноконтакта к A$^{\mathrm{III}}$As- и A$^{\mathrm{III}}$Sb-полупроводникам со слоем естественного оксида
   
   Письма в ЖТФ, 50:11 (2024),  42–46
2. Особенности энергетической структуры эпитаксиального слоя InAsSbP при осаждении на поверхность твердого раствора InAs$_{1-y}$Sb$_y$
   
   Физика твердого тела, 65:10 (2023),  1707–1714
3. Стимулированное излучение в гетероструктурах InAs/InAsSb/InAsSbP с асимметричным электронным ограничением
   
   Физика и техника полупроводников, 56:9 (2022),  876–881
4. Определение зонной диаграммы гетероперехода InAs$_{1-y}$Sb$_{y}$/InAsSbP в интервале составов $y<$ 0.2
   
   Физика твердого тела, 63:4 (2021),  475–482
5. Подавление температурной зависимости длины волны излучения в светодиодных структурах со ступенчатым гетеропереходом II типа InAsSb/InAsSbP
   
   Физика и техника полупроводников, 55:3 (2021),  277–281
6. Формирование гетероперехода II типа в полупроводниковой структуре InAsSb/InAsSbP
   
   Физика твердого тела, 62:11 (2020),  1822–1827
7. Длинноволновые светодиоды в окне прозрачности атмосферы 4.6 – 5.3 мкм
   
   Физика и техника полупроводников, 54:2 (2020),  202–206
8. Узкозонные гетероструктуры InAs$_{1-y}$Sb$_{y}$/InAsSbP ($y$ = 0.09–0.16) для спектрального диапазона 4–6 $\mu$m, полученные методом МОГФЭ
   
   Физика твердого тела, 61:10 (2019),  1746–1753
9. Светодиоды на основе асимметричной двойной гетероструктуры InAs/InAsSb/InAsSbP для детектирования CO$_{2}$ ($\lambda$ = 4.3 мкм) и CO ($\lambda$ = 4.7 мкм)
   
   Физика и техника полупроводников, 53:6 (2019),  832–838
10. Перестройка спектров электролюминесценции в гетероструктурах II типа $n$-InAs/$n$-InAsSbP
    
    Физика твердого тела, 60:3 (2018),  585–590
11. Особенности формирования эпитаксиальных слоев InAsSbP на подложке InAs методом газофазной эпитаксии из металлоорганических соединений
    
    Физика твердого тела, 58:11 (2016),  2203–2207
12. Влияние поверхности многокомпонентной матрицы InAsSbP на формирование квантовых точек InSb при наращивании методом МОГФЭ
    
    Физика и техника полупроводников, 50:7 (2016),  927–931
13. Высокотемпературная интерфейсная электролюминесценция в разъединенных гетероструктурах II рода на основе квантовых штрихов InSb в матрице $n$-InAs
    
    Физика и техника полупроводников, 48:7 (2014),  938–943
14. Эпитаксиальные слои InAsSbP с предельным содержанием фосфора, изоморфные с подложкой InAs
    
    Физика и техника полупроводников, 48:6 (2014),  753–758
15. Особенности формирования наноразмерных объектов в системе InSb/InAs методом газофазной эпитаксии из металлорганических соединений
    
    Физика и техника полупроводников, 47:3 (2013),  420–425
16. Магнитные свойства монокристаллов $\alpha$-LiIO$_{3}$, содержащих ионы редкоземельных элементов
    
    Физика твердого тела, 32:9 (1990),  2814–2816
17. Tm$_{x}$S ($0.9<x<1.11$) — новая концентрированная кондо-система
    
    Физика твердого тела, 32:8 (1990),  2354–2362