Беляев А Е

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Особенности температурной зависимости удельного контактного сопротивления диффузионных кремниевых структур Au–Ti–Pd–$n^{+}$–$n$-Si
   
   Физика и техника полупроводников, 53:4 (2019),  485–492
2. Новый механизм реализации омических контактов
   
   Физика и техника полупроводников, 52:1 (2018),  138–142
3. К вопросу об омичности контактов Шоттки
   
   Физика и техника полупроводников, 50:6 (2016),  777–784
4. Температурные зависимости удельного контактного сопротивления омических контактов на основе арсенида галлия и фосфида индия в области 4.2–300 K
   
   Письма в ЖТФ, 42:12 (2016),  82–87
5. Температурные зависимости удельного контактного сопротивления в омических контактах к $n^+$-InN
   
   Физика и техника полупроводников, 49:4 (2015),  472–482
6. Механизм протекания тока в омическом контакте Au–Ti–Al–Ti–n$^+$-GaN в интервале температур 4.2–300 K
   
   Физика и техника полупроводников, 48:10 (2014),  1344–1347
7. Токоперенос по металлическим шунтам в oмических контактах к $n^+$-Si
   
   Физика и техника полупроводников, 48:4 (2014),  509–513
8. Интегральная схема СВЧ-модулятора сантиметрового диапазона на слоях поликристаллической алмазной пленки
   
   ЖТФ, 83:3 (2013),  113–117
9. Механизм формирования контактного сопротивления к A$^3$N гетероструктурам с высокой плотностью дислокаций
   
   Физика и техника полупроводников, 47:9 (2013),  1191–1195
10. К вопросу о механизме формирования контактного сопротивления на шлифованных образцах $n$-Si
    
    Физика и техника полупроводников, 47:3 (2013),  426–431
11. Влияние микроволнового облучения на сопротивление омических контактов Au–TiB$_x$–Ge–Au–$n$–$n^+$–$n^{++}$-GaAs(InP)
    
    Физика и техника полупроводников, 46:4 (2012),  558–561
12. Температурная зависимость контактного сопротивления омических контактов на основе соединений A$^{\mathrm{III}}$B$^{\mathrm{V}}$ с высокой плотностью дислокаций
    
    Физика и техника полупроводников, 46:3 (2012),  348–355
13. Температурная зависимость контактного сопротивления омических контактов Au–Ti–Pd$_2$Si–n$^+$–Si, подвергнутых микроволновому облучению
    
    Физика и техника полупроводников, 46:3 (2012),  344–347
14. Исследование методом электроотражения влияния $\gamma$-облучения на оптические свойства эпитаксиальных пленок GaN
    
    Физика и техника полупроводников, 46:3 (2012),  317–320
15. Эволюция деформационного состояния и компонентного состава при изменении количества квантовых ям в многослойных структурах InGaN/GaN
    
    Физика и техника полупроводников, 45:6 (2011),  770–777
16. Влияние перегрева $p$–$n$-перехода на деградацию мощных импульсных кремниевых лавинно-пролетных диодов
    
    Физика и техника полупроводников, 45:2 (2011),  256–262
17. Радиационные эффекты и межфазные взаимодействия в омических и барьерных контактах к фосфиду индия, стимулированные быстрыми термическими обработками и облучением $\gamma$-квантами $^{60}$Co
    
    Физика и техника полупроводников, 44:12 (2010),  1607–1614
18. Рентгеновская дифрактометрия и сканирующая микро-рамановская спектроскопия неоднородностей структуры и деформаций по глубине многослойной гетероструктуры InGaN/GaN
    
    Физика и техника полупроводников, 44:9 (2010),  1236–1247
19. Влияние микроволновой обработки на механизмы протекания тока в омических контактах Au–TiB$_x$–Al–Ti–$n^+$–$n$–$n^+$-GaN–Al$_2$O$_3$
    
    Физика и техника полупроводников, 44:6 (2010),  775–781
20. Радиационные повреждения контактных структур с диффузионными барьерами, подвергнутых $\gamma$-облучению $^{60}$Co
    
    Физика и техника полупроводников, 44:4 (2010),  467–475
21. Механизм изменения подвижности носителей заряда при ультразвуковой обработке полупроводниковых твердых растворов
    
    Физика твердого тела, 32:7 (1990),  2159–2161