RUS  ENG
Полная версия
ПЕРСОНАЛИИ

Флейшман Леонид Самуилович

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

  1. Фазовые переходы в ВТСП с током в условиях неоднородности теплоотвода

    ЖТФ, 95:11 (2025),  2148–2162
  2. Физическое моделирование сверхпроводникового датчика газовой фазы для протяженного азотного криостата

    Письма в ЖТФ, 51:8 (2025),  30–34
  3. Переходный процесс в вертикальном сверхпроводящем проводе при понижении уровня жидкого азота

    Письма в ЖТФ, 50:8 (2024),  32–36
  4. Стабилизация сверхпроводниковых защитных резисторов посредством сетчатой электрической изоляции

    Письма в ЖТФ, 49:12 (2023),  13–17
  5. Применение стабильного перегруженного режима в высокотемпературных сверхпроводниковых защитных резисторах

    ЖТФ, 89:12 (2019),  1853–1861
  6. Переходные процессы при токовой перегрузке в цепи переменного тока с ВТСП-проводом

    Письма в ЖТФ, 45:7 (2019),  25–28
  7. Особенности тепловых процессов при токовой перегрузке в многослойных ВТСП проводниках

    ЖТФ, 87:10 (2017),  1509–1517
  8. Рекомбинация носителей заряда в полупроводниковых сплавах Bi$_{1-x}$Sb$_{x}$

    Физика и техника полупроводников, 18:7 (1984),  1263–1268
  9. Исследование скорости ударной ионизации в Hg$_{0.80}$Cd$_{0.20}$Te

    Физика и техника полупроводников, 18:6 (1984),  1021–1024
  10. Пинч-эффект в узкозонном полупроводнике в режиме развитого межзонного пробоя

    Физика твердого тела, 25:2 (1983),  416–422


© МИАН, 2026