Рубец Владимир Павлович

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Эпитаксиальный рост пленок селенида кадмия на кремнии с буферным слоем карбида кремния
   
   Физика твердого тела, 60:3 (2018),  499–504
2. Исследование структуры нитевидных нанокристаллов сульфида кадмия, синтезированных методом вакуумного испарения и конденсации в квазизамкнутом объеме
   
   Физика и техника полупроводников, 52:1 (2018),  125–126
3. Влияние температуры на ромбическую форму молекулярных кристаллов парацетамола
   
   ЖТФ, 87:4 (2017),  624–626
4. Формирование нитевидных нанокристаллов сульфида кадмия методом вакуумного испарения и конденсации в квазизамкнутом объеме
   
   Физика и техника полупроводников, 50:3 (2016),  420–422
5. Эффект воздействия $n$- и $p$-типа проводимости подложки Si(100) с буферным слоем SiC на механизм роста и структуру эпитаксиальных слоев полуполярных AlN и GaN
   
   Физика твердого тела, 57:10 (2015),  1916–1921
6. Фазовые превращения при формировании кристаллов парацетамола из паровой фазы
   
   ЖТФ, 84:7 (2014),  156–158
7. Фазовый переход пар–кристалл при синтезе пленок парацетамола методом вакуумного испарения и конденсации
   
   ЖТФ, 84:3 (2014),  141–143
8. Влияние природы конденсируемого вещества на формирование популяции островков при криохимическом синтезе из паровой фазы
   
   Физика и техника полупроводников, 47:1 (2013),  15–17
9. О механизме начальной стадии образования наноструктур в условиях сверхнизких температур
   
   Наносистемы: физика, химия, математика, 3:5 (2012),  103–110
10. Влияние температурной модуляции падающего потока на свойства пленок селенотеллуридов кадмия, синтезируемых в резко неравновесных условиях
    
    Физика твердого тела, 53:7 (2011),  1440–1444
11. Зарождение островков теллурида кадмия при синтезе из паровой фазы на охлажденной подложке
    
    Физика и техника полупроводников, 45:10 (2011),  1348–1352
12. Влияние метода синтеза на свойства пленок теллурида кадмия, синтезированных в резко неравновесных условиях
    
    Физика и техника полупроводников, 44:7 (2010),  978–980
13. Инжекционно-контактные явления в гетероструктуре на основе неупорядоченного селенида цинка
    
    Физика и техника полупроводников, 26:10 (1992),  1755–1759
14. Процессы токопереноса в гетероструктуре In$_{2}$O$_{3}{-}$ZnSe$-$In с субмикронным слоем селенида цинка
    
    Физика и техника полупроводников, 26:5 (1992),  935–941