Александров Олег Викторович

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Модель поведения МОП-структур при радиационно-термических обработках
   
   ЖТФ, 94:11 (2024),  1843–1847
2. Раннее образование поверхностных состояний в МОП-структурах при ионизирующем облучении
   
   Физика твердого тела, 65:5 (2023),  762–766
3. Модель пробоя МОП-структур по механизму анодного освобождения водорода
   
   Физика и техника полупроводников, 57:9 (2023),  784–788
4. Дисперсионный транспорт дырочных поляронов в МОП-структурах после ионизирующего излучения
   
   Физика и техника полупроводников, 56:12 (2022),  1154–1158
5. Размерный эффект в МОП-структурах при ионизирующем облучении
   
   Физика и техника полупроводников, 56:6 (2022),  591–595
6. Влияние ионизирующего облучения на распределение зарядов и пробой МОП-транзисторов
   
   Физика и техника полупроводников, 56:2 (2022),  250–253
7. Латентное накопление поверхностных состояний в МОП структурах после ионизирующего облучения
   
   Физика и техника полупроводников, 55:7 (2021),  559–563
8. Влияние интенсивности ионизирующего облучения на отклик МОП-структур
   
   Физика и техника полупроводников, 55:2 (2021),  152–158
9. Дисперсионный транспорт водорода в МОП-структурах после ионизирующего облучения
   
   Физика и техника полупроводников, 54:10 (2020),  1029–1033
10. Модель влияния смещения затвора при ионизирующем облучении МОП-структур
    
    Физика и техника полупроводников, 54:2 (2020),  189–194
11. Модель термополевой нестабильности $p$-МОП-транзисторов при отрицательном смещении затвора
    
    Физика и техника полупроводников, 54:2 (2020),  181–188
12. Влияние температуры отжига на электрически активные центры в кремнии, имплантированном ионами германия
    
    Физика и техника полупроводников, 53:2 (2019),  161–164
13. Накопление зарядов в МОП-структурах с поликремниевым затвором при туннельной инжекции
    
    Физика и техника полупроводников, 52:13 (2018),  1625–1630
14. Модель накопления зарядов в $n$- и $p$-МОП-транзисторах при туннельной инжекции электронов из затвора
    
    Физика и техника полупроводников, 52:6 (2018),  637–642
15. Влияние ловушек в диоксиде кремния на пробой МОП-структур
    
    Физика и техника полупроводников, 51:8 (2017),  1105–1109
16. Рост нанокластеров кремния в термическом диоксиде кремния при отжиге в атмосфере азота
    
    Физика и техника полупроводников, 50:6 (2016),  807–810
17. Влияние смещения на поведение МОП-структур при ионизирующем облучении
    
    Физика и техника полупроводников, 49:6 (2015),  793–798
18. Образование донорных центров при отжиге кремниевых светоизлучающих структур, имплантированных ионами кислорода
    
    Физика и техника полупроводников, 49:3 (2015),  418–420
19. Модель поведения МОП структур при ионизирующем облучении
    
    Физика и техника полупроводников, 48:4 (2014),  523–528
20. Модель диффузии бора в карбиде кремния из газовой фазы
    
    Физика и техника полупроводников, 45:6 (2011),  721–728
21. Модель образования фиксированного заряда в термическом диоксиде кремния
    
    Физика и техника полупроводников, 45:4 (2011),  474–480
22. Влияние радиационных дефектов, введенных $\alpha$-частицами, на обратные токи кремниевых $p{-}n$-переходов
    
    Физика и техника полупроводников, 26:5 (1992),  868–871
23. Кинетика распада твердого раствора фосфора в диффузионных слоях кремния
    
    Физика твердого тела, 31:10 (1989),  182–188
24. Структурная неустойчивость высокотемпературного сверхпроводника YBa$_{2}$Cu$_{3}$O$_{7-x}$ в области низких температур
    
    Физика твердого тела, 30:7 (1988),  2052–2057
25. Комплексообразование при диффузии фосфора в кремний
    
    Физика твердого тела, 26:2 (1984),  632–634