RUS  ENG
Полная версия
ПЕРСОНАЛИИ

Неведомский Владимир Николаевич

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

  1. Phase formation and thermal analysis in the LaPO$_4$–GdPO$_4$–H$_2$O system

    Наносистемы: физика, химия, математика, 15:6 (2024),  781–792
  2. Magnetic and photocatalytic properties of BiFeO$_3$ nanoparticles formed during the heat treatment of hydroxides coprecipitated in a microreactor with intense swirling flows

    Наносистемы: физика, химия, математика, 15:3 (2024),  369–379
  3. Pyrochlore phase in the Bi$_2$O$_3$–Fe$_2$O$_3$–WO$_3$–(H$_2$O) system: its stability field in the low-temperature region of the phase diagram and thermal stability

    Наносистемы: физика, химия, математика, 15:2 (2024),  240–254
  4. Влияние химического состава окружающих слоев на оптические свойства квантовых точек InGaP(As)

    Физика и техника полупроводников, 58:10 (2024),  529–532
  5. Исследование структурных и оптических свойств InGaAs-квантовых точек

    Физика и техника полупроводников, 58:6 (2024),  318–325
  6. Synthesis under hydrothermal conditions and structural transformations of nanocrystals in the LaPO$_4$–YPO$_4$–(H$_2$O) system

    Наносистемы: физика, химия, математика, 14:6 (2023),  660–671
  7. Agglomeration of magnetite nanoparticles with citrate shell in an aqueous magnetic fluid

    Наносистемы: физика, химия, математика, 14:3 (2023),  334–341
  8. Influence of using different types of microreactors on the formation of nanocrystalline BiFeO$_3$

    Наносистемы: физика, химия, математика, 14:1 (2023),  120–126
  9. Исследование фотолюминесценции в системе InGaAs/GaAs с квантовыми точками спектрального диапазона 1100 нм

    Физика и техника полупроводников, 57:1 (2023),  63–70
  10. Исследование активных областей на основе многопериодных сверхрешеток GaAsN/InAs

    Физика и техника полупроводников, 56:10 (2022),  1002–1010
  11. Гетероструктура квантово-каскадного детектора частотного диапазона 2.5 ТГц

    Физика и техника полупроводников, 56:3 (2022),  357–362
  12. Особенности роста массивов квантовых точек InAs с низкой поверхностной плотностью методом молекулярно-пучковой эпитаксии

    Письма в ЖТФ, 48:24 (2022),  42–46
  13. Особенности роста слоев в напряженных сверхрешетках InAs/GaSb

    Письма в ЖТФ, 48:3 (2022),  10–13
  14. Исследование характеристик сверхрешетки InGaAs/InAlGaAs для вертикально-излучающих лазеров спектрального диапазона 1300 nm

    ЖТФ, 91:12 (2021),  2008–2017
  15. Исследование оптических и структурных свойств трехмерных островков InGaP(As), сформированных методом замещения элементов пятой группы

    ЖТФ, 90:12 (2020),  2139–2142
  16. Электрические и фотоэлектрические свойства многослойных наноструктур $\alpha$-Si/SiO$_{2}$ и $\alpha$-Ge/SiO$_{2}$ на подложках $p$-Si, отожженных при разных температурах

    Физика и техника полупроводников, 54:10 (2020),  1112–1116
  17. Вертикально-излучающие лазеры спектрального диапазона 1.55 мкм, изготовленные по технологии спекания гетероструктур, выращенных методом молекулярно-пучковой эпитаксии из твердотельных источников

    Физика и техника полупроводников, 54:10 (2020),  1088–1096
  18. Сравнительный анализ оптических и физических свойств квантовых точек InAs, In$_{0.8}$Ga$_{0.2}$As и фотоэлектрических преобразователей на их основе

    Физика и техника полупроводников, 54:10 (2020),  1079–1087
  19. Взаимодействие фторуглерода с моноокисью кремния и процессы образования нанонитей SiC

    Физика и техника полупроводников, 54:8 (2020),  753–765
  20. Квантовые точки “ядро–оболочка” Ge/Si в матрице оксида алюминия: влияние температуры отжига на оптические свойства

    Физика и техника полупроводников, 54:2 (2020),  129–137
  21. Влияние параметров короткопериодной сверхрешетки InGaAs/InGaAlAs на эффективность фотолюминесценции

    Письма в ЖТФ, 46:22 (2020),  27–30
  22. Влияние термообработки на свойства композитных кремний-углеродных анодов для литий-ионных аккумуляторов

    Письма в ЖТФ, 46:3 (2020),  14–18
  23. Исследование возможностей метода газофазной эпитаксии из металлорганических соединений для изготовления тонких слоев InAs/GaSb

    ЖТФ, 89:10 (2019),  1592–1597
  24. Слабоупорядоченный наноструктурированный бисиликат серебра и его коллоидные растворы: получение и свойства

    ЖТФ, 89:6 (2019),  938–947
  25. Спонтанное и стимулированное излучение двухчастотного квантово-каскадного лазера

    Физика и техника полупроводников, 53:3 (2019),  365–369
  26. Исследование возможности изготовления напряженных сверхрешеток InAs/GaSb методом газофазной эпитаксии из металлоорганических соединений

    Физика и техника полупроводников, 53:2 (2019),  273–276
  27. Мощные квантово-каскадные лазеры с длиной волны генерации 8 $\mu$m

    Письма в ЖТФ, 45:14 (2019),  48–51
  28. Лазеры на основе квантовых яма-точек, излучающие в оптических диапазонах 980 и 1080 nm

    Письма в ЖТФ, 45:4 (2019),  42–45
  29. Генерация квантово-каскадных лазеров на длине волны излучения 9.6 $\mu$m

    ЖТФ, 88:10 (2018),  1559–1563
  30. Многослойные InGaAs-гетероструктуры “квантовая яма-точки” в фотопреобразователях на основе GaAs

    Физика и техника полупроводников, 52:10 (2018),  1131–1136
  31. Гетероструктуры одночастотных и двухчастотных квантово-каскадных лазеров

    Физика и техника полупроводников, 52:6 (2018),  597–602
  32. Бимодальность в массивах гибридных квантово-размерных гетероструктур In$_{0.4}$Ga$_{0.6}$As, выращенных на подложках GaAs

    Физика и техника полупроводников, 52:1 (2018),  57–62
  33. Режимы излучения двухсекционных лазеров спектрального диапазона 1.06 $\mu$m с активной областью на основе квантовых точек

    Письма в ЖТФ, 44:21 (2018),  30–39
  34. Эпитаксиальные структуры InGaAs/InAlAs/AlAs для гетеробарьерных варакторов с низким током утечки

    Письма в ЖТФ, 44:19 (2018),  16–23
  35. Молекулярно-пучковая эпитаксия структур InGaAs/InAlAs/ AlAs для гетеробарьерных варакторов

    Физика и техника полупроводников, 51:11 (2017),  1484–1488
  36. Дельта-легирование соединениями марганца гетероструктур на основе GaAs

    Физика и техника полупроводников, 51:9 (2017),  1189–1195
  37. Квантовые точки InSb, полученные методом жидкофазной эпитаксии на подложке InGaAsSb/GaSb

    Физика и техника полупроводников, 51:8 (2017),  1146–1150
  38. Квантовые точки InAs, выращенные в метаморфной матрице In$_{0.25}$Ga$_{0.75}$As методом МОС-гидридной эпитаксии

    Физика и техника полупроводников, 51:5 (2017),  704–710
  39. Исследование структурных и оптических свойств слоев GaP(N), синтезированных методом молекулярно-пучковой эпитаксии на подложкаx Si(100) 4$^\circ$

    Физика и техника полупроводников, 51:2 (2017),  276–280
  40. Гетероструктуры квантово-каскадных лазеров спектрального диапазона 7–8 $\mu$m

    Письма в ЖТФ, 43:14 (2017),  64–71
  41. Оптические свойства метаморфных гетероструктур GaAs/InAlGaAs/InGaAs с квантовыми ямами InAs/InGaAs, излучающих в спектральном диапазоне 1250–1400 нм

    Физика и техника полупроводников, 50:5 (2016),  624–627
  42. Лазерная генерация вертикальных микрорезонаторов с массивами квантовых точек InAs/InGaAs на длине волны 1.3 $\mu$m при оптической накачке

    Письма в ЖТФ, 42:19 (2016),  70–79
  43. Сверхрешетки InAs/GaSb, изготовленные методом МОС-гидридной эпитаксии

    Письма в ЖТФ, 42:2 (2016),  79–84
  44. Crystallization behavior and morphological features of YFeO$_3$ nanocrystallites obtainedby glycine-nitrate combustion

    Наносистемы: физика, химия, математика, 6:6 (2015),  866–874
  45. Пространственно-коррелированные двумерные массивы полупроводниковых и металлических квантовых точек в гетероструктурах на основе GaAs

    Физика и техника полупроводников, 49:12 (2015),  1710–1713
  46. Плазмонный резонанс в новых металло-полупроводниковых метаматериалах AsSb–AlGaAs

    Физика и техника полупроводников, 49:12 (2015),  1635–1639
  47. Концепции создания монолитных метаморфных вертикально-излучающих лазеров спектрального диапазона 1300–1550 нм

    Физика и техника полупроводников, 49:11 (2015),  1569–1573
  48. Метаморфные брэгговские отражатели спектрального диапазона 1440–1600 нм: эпитаксия, формирование и заращивание мезаструктур

    Физика и техника полупроводников, 49:10 (2015),  1434–1438
  49. Эмиссионные спектры лазера на сверхрешетке квантовых точек In(Ga)As/GaAs

    Физика и техника полупроводников, 49:10 (2015),  1379–1385
  50. Создание углеродных нанонитей пиролизом водного раствора сахара внутри асбестовых нановолокон

    Письма в ЖТФ, 41:9 (2015),  89–95
  51. Влияние локальных дефектов структуры на преципитацию As вблизи квантовых точек InAs в матрице GaAs

    Физика и техника полупроводников, 48:11 (2014),  1578–1582
  52. Влияние толщины прослойки GaAs на квантовое связывание и оптическую поляризацию вертикально-коррелированной 10-слойной системы квантовых точек InAs/GaAs

    Физика и техника полупроводников, 48:8 (2014),  1059–1064
  53. Электронная микроскопия структур на основе GaAs с квантовыми точками InAs и As, разделенными барьером AlAs

    Физика и техника полупроводников, 47:9 (2013),  1196–1203
  54. Квантовые точки (In,Mn)As: синтез методом молекулярно-пучковой эпитаксии и оптические свойства

    Физика и техника полупроводников, 47:8 (2013),  1033–1036
  55. Оптическая анизотропия квантовых точек InGaAs

    Физика и техника полупроводников, 47:1 (2013),  87–91
  56. Поляризационные зависимости электролюминесценции и поглощения вертикально-коррелированных InAs/GaAs-квантовых точек

    Физика и техника полупроводников, 46:1 (2012),  96–102
  57. Влияние положения массива InGaAs квантовых точек на спектральные характеристики AlGaAs/GaAs фотопреобразователей

    Письма в ЖТФ, 38:22 (2012),  43–49
  58. Механические свойства наносвитков на основе Mg$_3$Si$_2$O$_5$(OH)$_4$

    Наносистемы: физика, химия, математика, 2:2 (2011),  48–57
  59. Электронная микроскопия структур GaAs с квантовыми точками InAs и As

    Физика и техника полупроводников, 45:12 (2011),  1642–1645
  60. Оптическое поглощение в сверхрешетках квантовых точек InAs/GaAs в электрическом поле при комнатной температуре

    Физика и техника полупроводников, 45:8 (2011),  1095–1101
  61. Состояния Ваннье–Штарка в сверхрешетке квантовых точек InAs/GaAs

    Физика и техника полупроводников, 44:6 (2010),  790–794

© МИАН, 2026