Публикации в базе данных Math-Net.Ru
-
Расчет барьера Шоттки и вольт-амперных характеристик структур металл–твердые растворы на основе карбида кремния
Физика и техника полупроводников, 50:9 (2016), 1190–1194
-
Технология получения и оптическое поглощение пленок полупроводниковых растворов CuIn$_{0.95}$Ga$_{0.05}$Se$_{2}$
Письма в ЖТФ, 42:14 (2016), 1–6
-
Структурные свойства эпитаксиальных пленок твердого раствора (SiC)$_{1-x}$(AlN)$_x$, полученных магнетронным распылением составных мишеней SiC с Al
Письма в ЖТФ, 40:7 (2014), 49–55
-
Магнетронное осаждение тонких пленок твердого раствора (SiC)$_{1-x}$(AlN)$_x$
Физика и техника полупроводников, 44:6 (2010), 841–844
-
Исследование процесса кристаллизации карбида кремния из жидкой фазы
при пропускании электрического тока
ЖТФ, 54:10 (1984), 2016–2020
© , 2026