Мизеров Михаил Николаевич

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Изменение люминесцентных характеристик полупроводниковых гетероструктур при ионно-лучевом травлении
   
   Физика и техника полупроводников, 53:11 (2019),  1579–1583
2. Исследование возможности изготовления напряженных сверхрешеток InAs/GaSb методом газофазной эпитаксии из металлоорганических соединений
   
   Физика и техника полупроводников, 53:2 (2019),  273–276
3. Оптимизация параметров HEMT-гетероструктур GaN/AlN/ AlGaN для СВЧ транзисторов с помощью численного моделирования
   
   Физика и техника полупроводников, 50:2 (2016),  245–249
4. Сверхрешетки InAs/GaSb, изготовленные методом МОС-гидридной эпитаксии
   
   Письма в ЖТФ, 42:2 (2016),  79–84
5. Фотоэлектрические преобразователи концентрированного солнечного излучения на основе InGaAsP(1.0 эВ)/InP-гетероструктур
   
   Физика и техника полупроводников, 49:5 (2015),  715–718
6. МОС-гидридная эпитаксия III–N светодиодных гетероструктур с малой длительностью технологического процесса
   
   Письма в ЖТФ, 41:5 (2015),  9–17
7. Получение и исследование $p$–$n$-структур с кристаллическими включениями в области пространственного заряда
   
   Физика и техника полупроводников, 47:12 (2013),  1677–1680
8. Гетероструктуры InGaN/GaN, выращенные методом субмонослойного осаждения
   
   Физика и техника полупроводников, 46:10 (2012),  1357–1362
9. Композитные InGaN/GaN/InAlN-гетероструктуры, излучающие в желто-красной области спектра
   
   Физика и техника полупроводников, 46:10 (2012),  1304–1308
10. Твердые растворы AlInAsSb и AlGaInAsSb для барьерных слоев источников излучения спектрального диапазона 3–5 $\mu$m, полученные методом газофазной эпитаксии из металлорганических соединений
    
    Письма в ЖТФ, 38:19 (2012),  66–74
11. Монолитный белый светодиод с активной областью на основе квантовых ям InGaN, разделенных короткопериодными InGaN/GaN-сверхрешетками
    
    Физика и техника полупроводников, 44:6 (2010),  837–840
12. Исследование тепловых процессов в мощных InGaN/GaN флип-чип светодиодах с использованием инфракрасной тепловизионной микроскопии
    
    Физика и техника полупроводников, 44:3 (2010),  390–396
13. Варизонная активная область на основе короткопериодных InGaN/GaN-сверхрешеток для мощных светоизлучающих диодов диапазона 440–470 нм
    
    Физика и техника полупроводников, 44:1 (2010),  96–100
14. Концентрирующие голографические дифракционные решетки II. Экспериментальные результаты
    
    ЖТФ, 54:10 (1984),  1948–1955
15. Концентрирующие топографические дифракционные решетки I. Теория
    
    ЖТФ, 54:10 (1984),  1942–1947