RUS  ENG
Полная версия
ПЕРСОНАЛИИ

Свечникова Татьяна Евгеньевна

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

  1. Явления переноса в слоистых анизотропных соединениях MeBi$_4$Te$_7$ (Me = Ge, Pb, Sn)

    Физика и техника полупроводников, 46:10 (2012),  1279–1285
  2. Влияние легирования медью на кинетические коэффициенты и их анизотропию в PbSb$_2$Te$_4$

    Физика и техника полупроводников, 46:4 (2012),  463–468
  3. Легирование твердого раствора Bi$_{1.9}$Sb$_{0.1}$Te$_3$ примесью Sn

    Физика и техника полупроводников, 45:8 (2011),  1021–1025
  4. Влияние примесей на транспортные свойства слоистого анизотропного соединения PbBi$_4$Te$_7$. Эксперимент и расчеты

    Физика и техника полупроводников, 44:6 (2010),  759–763
  5. Ионный «скин-эффект» в монокристаллах Bi$_{2}$Te$_{3}$, легированных медью

    Физика твердого тела, 34:2 (1992),  492–497
  6. Кинетические явления в твердом растворе Bi$_{2-x}$In$_{x}$Te$_{2.85}$Se$_{0.15}$

    Физика твердого тела, 33:12 (1991),  3539–3545
  7. Анизотропия свойств монокристаллов Bi$_{2}$Te$_{3-x}$Se$_{x}$

    Физика твердого тела, 29:10 (1987),  3008–3011


© МИАН, 2026