RUS
ENG
Полная версия
ПЕРСОНАЛИИ
Дмитриев С Г
Публикации в базе данных Math-Net.Ru
Релаксация потенциала поверхности полупроводника в МДП структуре при наличии конвективных токов в диэлектрике и через его границы
Физика и техника полупроводников
,
45
:2 (2011),
192–195
Диоды Ганна на основе гетероструктуры
$n$
-InGaAs
$/n^{+}$
-InP
Физика и техника полупроводников
,
26
:4 (1992),
611–613
Особенности в зависимости от энергии коэффициента отражения электронов от поверхностей полупроводников
ЖТФ
,
54
:9 (1984),
1796–1798
Фотоэффект в полупроводнике с большими значениями внутренней квантовой эффективности
Физика и техника полупроводников
,
18
:5 (1984),
831–834
©
МИАН
, 2026