Лучинин Виктор Викторович

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Применение технологии реактивного ионно-плазменного травления для управления чувствительностью 4H-SiC-фотодиодов
   
   Физика и техника полупроводников, 56:10 (2022),  997–1001
2. О формировании низкоомных контактов для биполярных приборов на основе 4H-SiC
   
   Физика и техника полупроводников, 56:6 (2022),  607–610
3. Определение толщин и особенностей легирования многослойных $4H$–$\mathrm{SiC}$-структур методом частотного анализа инфракрасных спектров отражения
   
   Письма в ЖТФ, 48:2 (2022),  34–36
4. Cиловой МДП-транзистор на 4$H$-SiC с эпитаксиальным заглубленным каналом
   
   Физика и техника полупроводников, 54:1 (2020),  79–84
5. Сравнительный эллипсометрический анализ политипов карбида кремния 4$H$, 15$R$, 6$H$, полученных модифицированным методом Лели в одном ростовом процессе
   
   Письма в ЖТФ, 46:19 (2020),  28–31
6. Исследование методом наноиндентирования твердости и модуля Юнга в тонких приповерхностных слоях карбида кремния со стороны Si- и C-граней
   
   Письма в ЖТФ, 46:15 (2020),  36–38
7. Частотная зависимость коэффициента поглощения электромагнитного излучения в магнитной жидкости
   
   ЖТФ, 89:6 (2019),  948–951
8. Получение высокопроводящих и оптически прозрачных пленок со структурой мультиграфена путем карбонизации полиимидных пленок Ленгмюра–Блоджетт
   
   Письма в ЖТФ, 45:9 (2019),  50–54
9. Теплопроводящие платы на основе алюминия с наноструктурированным слоем Al$_{2}$O$_{3}$ для изделий силовой электроники
   
   ЖТФ, 88:11 (2018),  1678–1680
10. Планаризация поверхности композиции “нанопористый диоксид кремния-диоксид титана” методом атомно-молекулярной химической сборки
    
    ЖТФ, 87:5 (2017),  736–740
11. Метод увеличения подвижности носителей заряда в канале полевого 4$H$-SiC-транзистора
    
    Физика и техника полупроводников, 50:6 (2016),  839–842
12. Особенности вольт-амперных характеристик МДП-структур SiO$_{2}$/4$H$-SiC c имплантированным в карбид кремния фосфором
    
    Физика и техника полупроводников, 50:1 (2016),  103–105
13. Ионная имплантация фосфора как метод пассивации состояний на границе раздела 4H-SiC и SiO$_2$, полученного термическим окислением в атмосфере сухого кислорода
    
    Физика и техника полупроводников, 48:12 (2014),  1621–1625
14. Закономерность эволюции кристаллической структуры при синтезе веществ, обладающих множеством структурно-устойчивых состояний
    
    ЖТФ, 54:7 (1984),  1388–1390