|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru
-
Экспериментальное наблюдение $s$-компоненты сверхпроводящего спаривания в тонких неупорядоченных пленках ВТСП на основе YBCO
Физика твердого тела, 62:9 (2020), 1434–1439
-
Послойный состав и структура кремния, подвергнутого совместной ионной имплантации галлия и азота для ионного синтеза GaN
Физика и техника полупроводников, 50:2 (2016), 274–278
-
Влияние ионного легирования на фотолюминесценцию в кремнии, связанную с дислокациями, сформированными путем имплантации ионов Si$^+$
Физика и техника полупроводников, 48:2 (2014), 212–216
-
Управление длиной волны излучения квантовых ям InGaAs/GaAs и лазерных структур на их основе с помощью протонного облучения
Физика и техника полупроводников, 44:11 (2010), 1494–1497
-
Изменение длины волны излучения InGaAs/GaAs/InGaP лазеров посредством ионной имплантации
Письма в ЖТФ, 36:4 (2010), 81–87
-
Резистометрический метод исследования кинетики процессов ионной
имплантации
ЖТФ, 54:11 (1984), 2263–2266
-
Исследование низкоуровневых нарушений в имплантированных
монокристаллах InSb методом характеристического рентгеновского излучения
Физика и техника полупроводников, 18:1 (1984), 189–191
© , 2026