Козловский В В

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Vacancy-phosphorus complexes in electron-irradiated floating-zone $n$-type silicon: new points in annealing studies
   
   Физика и техника полупроводников, 54:1 (2020),  45
2. Исследование влияния структурных дефектов на спектры фотолюминесценции в $n$-3$C$-SiC
   
   Письма в ЖТФ, 45:11 (2019),  28–30
3. Interaction rates of group-III and group-V impurities with intrinsic point defects in irradiated Si and Ge
   
   Физика и техника полупроводников, 52:13 (2018),  1578
4. Radiation-produced defects in germanium: experimental data and models of defects
   
   Физика и техника полупроводников, 51:12 (2017),  1632–1646
5. Some challenging points in the identification of defects in floating-zone $n$-type silicon irradiated with 8 and 15 Mev protons
   
   Физика и техника полупроводников, 50:10 (2016),  1313–1319
6. Electrical properties of diluted $n$- and $p$-Si$_{1-x}$Ge$_x$ at small $x$
   
   Физика и техника полупроводников, 48:12 (2014),  1592–1596
7. Диффузия фосфора в карбиде кремния
   
   Физика твердого тела, 34:6 (1992),  1956–1958
8. Трансмутационное легирование полупроводников под действием заряженных частиц (Обзор)
   
   Физика и техника полупроводников, 26:1 (1992),  3–21
9. Перераспределение заряженной примеси в полупроводнике в условиях протонно-стимулированной диффузии
   
   ЖТФ, 54:6 (1984),  1157–1162
10. Протонно-стимулированная диффузия сурьмы в кремнии
    
    Физика и техника полупроводников, 18:5 (1984),  958–960
11. Влияние поверхности на радиационное дефектообразование в кремнии при высокотемпературном протонном облучении
    
    Физика и техника полупроводников, 18:5 (1984),  956–958