|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru
-
Эффекты ионной бомбардировки в спектрах краевой фотопроводимости и в вольт-амперных характеристиках кристаллов CdS
Физика и техника полупроводников, 55:11 (2021), 1015–1020
-
“Аномальный” спектральный фоторезистивный эффект поля в кристаллах CdS, обусловленный экранированием электрон-дырочного взаимодействия
Физика твердого тела, 55:4 (2013), 639–644
-
Эффекты поверхностного прилипания неравновесных носителей в спектрах фотопроводимости кристаллов CdS
ЖТФ, 83:9 (2013), 20–23
-
Индуцированная термической обработкой “примесная” краевая фотопроводимость кристаллов CdS
ЖТФ, 83:9 (2013), 15–19
-
Формирование экситонной структуры в спектрах фотопроводимости кристаллов CdS при модулированном возбуждении
Физика и техника полупроводников, 47:9 (2013), 1165–1168
-
Эффект поверхностного рассеяния носителей в спектрах фотопроводимости CdS
Физика и техника полупроводников, 47:5 (2013), 604–607
-
Спектры связанных экситонов и радиационная стойкость кристаллов CdS и CdSe
Физика твердого тела, 34:6 (1992), 1770–1777
-
Широкие полосы излучения при лазерном возбуждении кристаллов CdSe
Физика твердого тела, 32:2 (1990), 598–602
-
Люминесценция локализованных экситонов, вызванная изменениями температуры в кристаллах CdSe
Физика твердого тела, 30:5 (1988), 1515–1517
-
Особенности экситонных спектров кристаллов CdSe, обусловленные экситонами, локализованными приповерхностными флуктуациями потенциала
Физика твердого тела, 29:11 (1987), 3393–3396
-
Оптическое проявление связывания экситонов центрами приповерхностного дефектного слоя в кристаллах
Физика твердого тела, 29:7 (1987), 2126–2130
© , 2026