Елисеев Илья Александрович

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Влияние термической обработки на оптические и электрофизические свойства $\alpha$-GeTe
   
   Физика твердого тела, 67:12 (2025),  2448–2452
2. Температурная стабильность спиновых дефектов в $6H$-SiC на основе данных фотолюминесценции и электронного парамагнитного резонанса
   
   Письма в ЖЭТФ, 122:2 (2025),  116–122
3. Управление плотностью носителей заряда в фототранзисторных структурах на основе CVD-MoS$_2$ атомарной толщины
   
   Физика и техника полупроводников, 59:4 (2025),  230–234
4. Низкотемпературное люминесцентное исследование образования радиационных дефектов в $4H$-$\mathrm{SiC}$ диодах Шоттки
   
   Физика твердого тела, 66:12 (2024),  2193–2196
5. Особенности спектров комбинационного рассеяния света слоистых кристаллов 2$H$-$\alpha$-In$_2$Se$_3$ различной толщины
   
   Физика твердого тела, 66:12 (2024),  2189–2192
6. Исследование угловой и температурной зависимости примесной Cr$^{3+}$ люминесценции $\beta$-Ga$_2$O$_3$
   
   Физика твердого тела, 66:12 (2024),  2185–2188
7. Локальная диагностика спиновых дефектов в облученных SiC-диодах Шоттки
   
   Письма в ЖЭТФ, 120:5 (2024),  367–373
8. Исследование рельефа напряжений и распределения деформаций в пленках графена биосенсоров вирусных инфекций
   
   Физика твердого тела, 65:12 (2023),  2216–2219
9. Оптические и спиновые свойства вакансионных кремниевых центров, созданных облучением протонами в гетероструктуре карбида кремния $6H/15R$
   
   Физика твердого тела, 65:6 (2023),  1031–1036
10. Исследование Cr$^{3+}$ примесной люминесценции в протонно-облученном $\beta$-Ga$_2$O$_3$
    
    Физика и техника полупроводников, 57:7 (2023),  573–576
11. Электрон-фононное взаимодействие в нанокристаллах перовскитов во фторфосфатном стекле
    
    Физика и техника полупроводников, 57:5 (2023),  313–320
12. Антистоксова люминесценция перовскитных нанокристаллов CsPbBr$_3$ во фторфосфатной стеклянной матрице
    
    Оптика и спектроскопия, 130:11 (2022),  1739–1744
13. Изменение адсорбционных свойств графена в процессе получения биосенсоров вирусных инфекций
    
    Физика и техника полупроводников, 56:12 (2022),  1137–1143
14. Исследование сильно легированных эпитаксиальных пленок $n$-$3\mathrm{C}$-$\mathrm{SiC}$, выращенных методом сублимации на основе полуизолирующих подложек $6H$-$\mathrm{SiC}$
    
    Физика и техника полупроводников, 56:2 (2022),  225–228
15. Электронная спектроскопия графена, полученного методом ультразвукового диспергирования
    
    Письма в ЖТФ, 48:24 (2022),  23–25
16. Формирование силицидов железа под графеном, выращенным на поверхности карбида кремния
    
    Физика твердого тела, 62:10 (2020),  1726–1730
17. Интеркаляционный синтез силицидов кобальта под графеном, выращенным на карбиде кремния
    
    Физика твердого тела, 62:3 (2020),  462–471
18. Structural and dynamical properties of short-period GaN/AlN superlattices: Experiment and theory
    
    Физика и техника полупроводников, 54:12 (2020),  1397
19. Raman studies of graphene films grown on 4$H$-SiC subjected to deposition of Ni
    
    Физика и техника полупроводников, 54:12 (2020),  1388
20. Исследование фотоотклика графена, полученного методом химического осаждения из газовой фазы
    
    Физика и техника полупроводников, 54:9 (2020),  833–840
21. Интеркалирование графена на карбиде кремния кобальтом
    
    Физика твердого тела, 61:7 (2019),  1374–1384
22. Исследование влияния водородного травления поверхности SiC на последующий процесс формирования пленок графена
    
    ЖТФ, 89:12 (2019),  1940–1946
23. Boson peak related to Ga-nanoclusters in AlGaN layers grown by plasma-assisted molecular beam epitaxy at Ga-rich conditions
    
    Физика и техника полупроводников, 53:11 (2019),  1519
24. Интеркалирование графена, сформированного на карбиде кремния, атомами железа
    
    Физика твердого тела, 60:7 (2018),  1423–1430
25. Graphene on silicon carbide as a basis for gas- and biosensor applications
    
    Наносистемы: физика, химия, математика, 9:1 (2018),  95–97
26. Site-controlled growth of GaN nanorods with inserted InGaN quantum wells on $\mu$-cone patterned sapphire substrates by plasma-assisted MBE
    
    Физика и техника полупроводников, 52:5 (2018),  526
27. Исследование кристаллической и электронной структуры графеновых пленок, выращенных на 6$H$-SiC (0001)
    
    Физика и техника полупроводников, 51:8 (2017),  1116–1124
28. Транспортные свойства пленок графена, выращенных методом термодеструкции поверхности SiC (0001) в среде аргона
    
    Письма в ЖТФ, 43:18 (2017),  64–72


29. Comparative study of conventional and quasi-freestanding epitaxial graphenes grown on 4$H$-SiC substrate
    
    Физика и техника полупроводников, 54:12 (2020),  1383