Смирнов Александр Николаевич

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Влияние термической обработки на оптические и электрофизические свойства $\alpha$-GeTe
   
   Физика твердого тела, 67:12 (2025),  2448–2452
2. Температурная стабильность спиновых дефектов в $6H$-SiC на основе данных фотолюминесценции и электронного парамагнитного резонанса
   
   Письма в ЖЭТФ, 122:2 (2025),  116–122
3. Биосенсоры на основе графена для детектирования маркеров нейродегенеративной деменции
   
   Письма в ЖТФ, 51:3 (2025),  13–16
4. Низкотемпературное люминесцентное исследование образования радиационных дефектов в $4H$-$\mathrm{SiC}$ диодах Шоттки
   
   Физика твердого тела, 66:12 (2024),  2193–2196
5. Особенности спектров комбинационного рассеяния света слоистых кристаллов 2$H$-$\alpha$-In$_2$Se$_3$ различной толщины
   
   Физика твердого тела, 66:12 (2024),  2189–2192
6. Исследование угловой и температурной зависимости примесной Cr$^{3+}$ люминесценции $\beta$-Ga$_2$O$_3$
   
   Физика твердого тела, 66:12 (2024),  2185–2188
7. Центры окраски с воспроизводимыми спектральными характеристиками в гексагональном нитриде бора (hBN), облученном протонами
   
   Физика твердого тела, 66:10 (2024),  1820–1823
8. Локальная диагностика спиновых дефектов в облученных SiC-диодах Шоттки
   
   Письма в ЖЭТФ, 120:5 (2024),  367–373
9. Дендритные структурные неоднородности в тонких слоях Cs$_{0.2}$FA$_{0.8}$PbI$_{2.93}$Cl$_{0.07}$ для перовскитных солнечных элементов
   
   Физика и техника полупроводников, 58:11 (2024),  629–635
10. Исследование с помощью микро-рамановской спектроскопии радиационных дефектов, сформированных сфокусированным ионным пучком Ga$^+$ в структуре GaAs/Al$_{0.3}$Ga$_{0.7}$As
    
    Физика и техника полупроводников, 58:10 (2024),  552–555
11. Полупроводниковые соединения ванадия как темплат для формирования микропористых частиц различной морфологии
    
    Письма в ЖТФ, 50:3 (2024),  15–19
12. Исследование рельефа напряжений и распределения деформаций в пленках графена биосенсоров вирусных инфекций
    
    Физика твердого тела, 65:12 (2023),  2216–2219
13. Сравнительные исследования свойств толстых слоев GaN с различным типом кристаллической структуры, выращенных на керамической подложке
    
    Физика твердого тела, 65:12 (2023),  2125–2127
14. Синтез и исследование наноструктур на основе асбестов, кремнеземов и боратных стекол с включением 2-метилбензимидазола в систему нанотрубок или нанопор
    
    Физика твердого тела, 65:12 (2023),  2083–2087
15. Гибридные сферические микрорезонаторы с люминесцентными органическими красителями FITC и DCM
    
    Физика твердого тела, 65:6 (2023),  1065–1070
16. Оптические и спиновые свойства вакансионных кремниевых центров, созданных облучением протонами в гетероструктуре карбида кремния $6H/15R$
    
    Физика твердого тела, 65:6 (2023),  1031–1036
17. Исследование Cr$^{3+}$ примесной люминесценции в протонно-облученном $\beta$-Ga$_2$O$_3$
    
    Физика и техника полупроводников, 57:7 (2023),  573–576
18. Электрон-фононное взаимодействие в нанокристаллах перовскитов во фторфосфатном стекле
    
    Физика и техника полупроводников, 57:5 (2023),  313–320
19. Создание оптически адресуемых спиновых центров в гексагональном нитриде бора путем облучения протонами
    
    Физика твердого тела, 64:8 (2022),  1033–1037
20. Антистоксова люминесценция перовскитных нанокристаллов CsPbBr$_3$ во фторфосфатной стеклянной матрице
    
    Оптика и спектроскопия, 130:11 (2022),  1739–1744
21. Изменение адсорбционных свойств графена в процессе получения биосенсоров вирусных инфекций
    
    Физика и техника полупроводников, 56:12 (2022),  1137–1143
22. Создание темплейтов для гомоэпитаксиального роста 3C-SiC методом прямого сращивания пластин карбида кремния различающихся политипов
    
    Физика и техника полупроводников, 56:11 (2022),  1094–1098
23. Оптические свойства нановискеров Cu$_2$O
    
    Физика и техника полупроводников, 56:11 (2022),  1075–1081
24. Рост гексагонального нитрида бора (hBN) на подложках карбида кремния методом сублимации
    
    Физика и техника полупроводников, 56:10 (2022),  1011–1015
25. Взаимосвязь электронной и атомной структуры пассивированных поверхностей $n$-InP(100)
    
    Физика и техника полупроводников, 56:7 (2022),  659–666
26. Исследование сильно легированных эпитаксиальных пленок $n$-$3\mathrm{C}$-$\mathrm{SiC}$, выращенных методом сублимации на основе полуизолирующих подложек $6H$-$\mathrm{SiC}$
    
    Физика и техника полупроводников, 56:2 (2022),  225–228
27. Белые нанолюминофоры на основе модифицированных ионами европия монодисперсных углеродных наноточек
    
    Письма в ЖТФ, 48:7 (2022),  28–32
28. Зависимость характеристик узких линий люминесценции в наноалмазах от параметров возбуждения и температуры
    
    Физика твердого тела, 63:8 (2021),  1126–1131
29. Моноокись кремния, карбонизированная фторуглеродом, как композитный материал для анодов литий-ионных аккумуляторов
    
    ЖТФ, 91:9 (2021),  1381–1392
30. Модификация электронных свойств поверхности $n$-InP(100) сульфидными растворами
    
    Физика и техника полупроводников, 55:10 (2021),  895–900
31. Модификация структурно-морфологических свойств германия в многослойной нанопериодической структуре Al$_{2}$O$_{3}$/Ge с промежуточными слоями Si при отжиге
    
    Физика и техника полупроводников, 55:10 (2021),  882–889
32. Оптические свойства квазиобъемных кристаллов нитрида галлия со структурой высокоориентированной текстуры
    
    Физика и техника полупроводников, 55:7 (2021),  554–558
33. Темплатный метод синтеза монодисперсных наночастиц MoS$_{2}$
    
    Физика и техника полупроводников, 55:5 (2021),  475–480
34. Люминесцентные свойства углеродных наноточек на поверхности сферического микрорезонатора
    
    Физика твердого тела, 62:10 (2020),  1690–1696
35. Нелинейное просветление InAs нитевидных нанокристаллов в видимом диапазоне
    
    Оптика и спектроскопия, 128:1 (2020),  128–133
36. Structural and dynamical properties of short-period GaN/AlN superlattices: Experiment and theory
    
    Физика и техника полупроводников, 54:12 (2020),  1397
37. Raman studies of graphene films grown on 4$H$-SiC subjected to deposition of Ni
    
    Физика и техника полупроводников, 54:12 (2020),  1388
38. Интеркалирование графена на карбиде кремния кобальтом
    
    Физика твердого тела, 61:7 (2019),  1374–1384
39. Высокоомный антимонид галлия, полученный методом газофазной эпитаксии из металлорганических соединений
    
    Физика и техника полупроводников, 53:12 (2019),  1599–1603
40. Boson peak related to Ga-nanoclusters in AlGaN layers grown by plasma-assisted molecular beam epitaxy at Ga-rich conditions
    
    Физика и техника полупроводников, 53:11 (2019),  1519
41. Молекулярно-пучковая эпитаксия двухмерных слоев GaSe на подложках GaAs(001) и GaAs(112): структурные и оптические свойства
    
    Физика и техника полупроводников, 53:8 (2019),  1152–1158
42. Темплатный синтез монодисперсных сферических нанопористых частиц кремния субмикронного размера
    
    Физика и техника полупроводников, 53:8 (2019),  1068–1073
43. Получение высокопроводящих и оптически прозрачных пленок со структурой мультиграфена путем карбонизации полиимидных пленок Ленгмюра–Блоджетт
    
    Письма в ЖТФ, 45:9 (2019),  50–54
44. Интеркалирование графена, сформированного на карбиде кремния, атомами железа
    
    Физика твердого тела, 60:7 (2018),  1423–1430
45. Graphene on silicon carbide as a basis for gas- and biosensor applications
    
    Наносистемы: физика, химия, математика, 9:1 (2018),  95–97
46. Исследование нанокристаллов CsPbBr$_{3}$ и их агломератов с помощью методов комбинированной сканирующей зондовой микроскопии и оптической спектрометрии
    
    Оптика и спектроскопия, 125:6 (2018),  752–757
47. Матричный синтез монодисперсных сферических нанокомпозитных частиц SiO$_{2}$/GaN:Eu$^{3+}$
    
    Физика и техника полупроводников, 52:9 (2018),  1000–1005
48. Влияние степени нитридизации сапфира и обогащения алюминием зародышевого слоя на структурные свойства слоев AlN
    
    Физика и техника полупроводников, 52:6 (2018),  643–650
49. Site-controlled growth of GaN nanorods with inserted InGaN quantum wells on $\mu$-cone patterned sapphire substrates by plasma-assisted MBE
    
    Физика и техника полупроводников, 52:5 (2018),  526
50. Локальное анодное окисление слоев графена на SiC
    
    Письма в ЖТФ, 44:9 (2018),  34–40
51. Новые линии люминесценции в полученных методом химического газофазного осаждения наноалмазах
    
    Физика твердого тела, 59:12 (2017),  2382–2386
52. Синтез кластеров оксидов железа в мезопорах монодисперсных сферических частиц кремнезема
    
    Физика твердого тела, 59:8 (2017),  1598–1603
53. Лазерная генерация в микродисках с активной областью на основе решеточно-согласованных InP/AlInAs наноструктур
    
    ЖТФ, 87:7 (2017),  1066–1070
54. Исследование кристаллической и электронной структуры графеновых пленок, выращенных на 6$H$-SiC (0001)
    
    Физика и техника полупроводников, 51:8 (2017),  1116–1124
55. Отделение слабо легированных пленок $n$-GaN микронной толщины от подложек, основанное на эффекте поглощения ИК излучения в сапфире
    
    Физика и техника полупроводников, 51:1 (2017),  116–123
56. Транспортные свойства пленок графена, выращенных методом термодеструкции поверхности SiC (0001) в среде аргона
    
    Письма в ЖТФ, 43:18 (2017),  64–72
57. Рост микрокристаллов алмаза по механизму ориентированного присоединения при высоком давлении и температуре
    
    Письма в ЖТФ, 43:1 (2017),  21–29
58. Динамика решетки и электронная структура кобальт-титановой шпинели Co$_{2}$TiO$_{4}$
    
    Физика твердого тела, 58:12 (2016),  2427–2433
59. Резонансный перенос энергии в плотном массиве II–VI квантовых точек
    
    Физика твердого тела, 58:11 (2016),  2175–2179
60. Транспортные свойства графена в области его интерфейса с водной поверхностью
    
    Физика твердого тела, 58:7 (2016),  1432–1435
61. Получение трехмерных ансамблей магнитных кластеров NiO, Co$_{3}$O$_{4}$ и NiCo$_{2}$O$_{4}$ матричным методом
    
    Физика твердого тела, 58:6 (2016),  1176–1181
62. Сверхчувствительный газовый сенсор на основе графена
    
    ЖТФ, 86:3 (2016),  135–139
63. Упругие деформации и делокализованные оптические фононы в сверхрешетках AlN/GaN
    
    Физика и техника полупроводников, 50:8 (2016),  1064–1069
64. Хлоридная эпитаксия слоев $\beta$-Ga$_{2}$O$_{3}$ на сапфировых подложках базисной ориентации
    
    Физика и техника полупроводников, 50:7 (2016),  997–1000
65. Лазерное отделение пленок $n$-GaN от подложек, основанное на эффекте сильного поглощения ИК излучения свободными носителями заряда в $n^{+}$-GaN подложках
    
    Физика и техника полупроводников, 50:5 (2016),  711–716
66. Снижение трещинообразования при росте AlN на подложках Si методом хлоридно-гидридной эпитаксии
    
    Физика и техника полупроводников, 50:4 (2016),  549–552
67. Спектры фотолюминесценции тонких пленок ZnO, выращенных по ALD-технологии
    
    Физика твердого тела, 57:9 (2015),  1817–1821
68. Температурное переключение резонаторных мод в микрокристаллах InN
    
    Физика и техника полупроводников, 49:11 (2015),  1484–1488
69. Интенсивность излучения линии $\lambda$ = 1.54 мкм в пленках ZnO, полученных магнетронным распылением, легированных Ce, Yb, Er методом диффузии
    
    Физика и техника полупроводников, 49:8 (2015),  1016–1023
70. Влияние содержания алюминия на морфологию поверхности сильнолегированных мезаструктур (Al)GaN, сформированных селективной газофазной эпитаксией из металлоорганических соединений
    
    Письма в ЖТФ, 41:20 (2015),  74–81
71. Спектральные особенности фотоответа структур с наночастицами кремния
    
    Физика и техника полупроводников, 48:11 (2014),  1555–1561
72. Синтез GaN нитевидных нано- и микрокристаллов, индуцированный нанослоем титана
    
    Письма в ЖТФ, 40:9 (2014),  17–23
73. Компьютерное моделирование структуры и рамановских спектров политипов GaAs
    
    Физика твердого тела, 55:6 (2013),  1132–1141
74. Особенности спектров рамановского рассеяния нитевидных кристаллов на основе соединений $A_3B_5$
    
    Физика твердого тела, 53:7 (2011),  1359–1366
75. Расплавный синтез и структурные свойства нанокомпозитов опал–V$_2$O$_5$ и опал–VO$_2$
    
    Физика твердого тела, 53:2 (2011),  400–405
76. Низкотемпературные транспортные свойства пленок мультиграфена, сформированных сублимацией на поверхности SiC
    
    Физика и техника полупроводников, 45:5 (2011),  634–638
77. Прозрачные и проводящие наноалмазные пленки, легированные бором
    
    Письма в ЖТФ, 37:7 (2011),  64–71
78. Резонансное рамановское рассеяние и дисперсия полярных оптических и акустических фононов в гексагональном InN
    
    Физика и техника полупроводников, 44:2 (2010),  170–179