Лебедев Сергей Павлович

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Метод регистрации фазы для визуализации однослойного и двуслойного графена на поверхности SiC
   
   Письма в ЖТФ, 52:6 (2026),  18–21
2. Применение композитных подложек 6H-SiC/3C-SiC(001) для выращивания кубического политипа карбида кремния методом сублимации
   
   Физика и техника полупроводников, 59:5 (2025),  294–297
3. Особенности кристаллизации промежуточного слоя кремния в процессе переноса тонкого слоя 3C-SiC(001) на 6H-SiC(0001)-подложку
   
   Письма в ЖТФ, 51:4 (2025),  11–14
4. Биосенсоры на основе графена для детектирования маркеров нейродегенеративной деменции
   
   Письма в ЖТФ, 51:3 (2025),  13–16
5. Взаимодействие карбида кремния с расплавом кремния, образующимся в условиях прямого сращивания эпитаксиальных структур 3C-SiC/Si с пластинами 6H-SiC
   
   Физика и техника полупроводников, 58:9 (2024),  501–504
6. Исследование рельефа напряжений и распределения деформаций в пленках графена биосенсоров вирусных инфекций
   
   Физика твердого тела, 65:12 (2023),  2216–2219
7. Тестовые структуры на базе SiC с тонкими слоями графена для определения аппаратной функции для Кельвин-зонд-микроскопии
   
   Письма в ЖТФ, 49:4 (2023),  24–27
8. Электронно-дифракционное изучение преобразования реконструкции 6$\sqrt{3}$ на поверхности 4H-SiC(0001) в квазисвободный эпитаксиальный графен
   
   Физика твердого тела, 64:12 (2022),  2055–2060
9. Моделирование распределения температуры в зоне сублимационного роста графена на SiC подложке
   
   ЖТФ, 92:12 (2022),  1776–1780
10. Хемилюминесценция функционализированной поверхности графена
    
    Оптика и спектроскопия, 130:9 (2022),  1417–1422
11. Изменение адсорбционных свойств графена в процессе получения биосенсоров вирусных инфекций
    
    Физика и техника полупроводников, 56:12 (2022),  1137–1143
12. Создание темплейтов для гомоэпитаксиального роста 3C-SiC методом прямого сращивания пластин карбида кремния различающихся политипов
    
    Физика и техника полупроводников, 56:11 (2022),  1094–1098
13. Исследование сильно легированных эпитаксиальных пленок $n$-$3\mathrm{C}$-$\mathrm{SiC}$, выращенных методом сублимации на основе полуизолирующих подложек $6H$-$\mathrm{SiC}$
    
    Физика и техника полупроводников, 56:2 (2022),  225–228
14. Формирование силицидов железа под графеном, выращенным на поверхности карбида кремния
    
    Физика твердого тела, 62:10 (2020),  1726–1730
15. Интеркаляционный синтез силицидов кобальта под графеном, выращенным на карбиде кремния
    
    Физика твердого тела, 62:3 (2020),  462–471
16. Raman studies of graphene films grown on 4$H$-SiC subjected to deposition of Ni
    
    Физика и техника полупроводников, 54:12 (2020),  1388
17. Терагерцевый ближнепольный отклик в лентах графена
    
    Письма в ЖТФ, 46:15 (2020),  29–32
18. Исследование чувствительной способности графена для применений в качестве биосенсоров
    
    Письма в ЖТФ, 46:10 (2020),  3–6
19. Электронографическое изучение структуры эпитаксиального графена, сформированного путем термического разложения SiC(0001) в атмосфере Ar и в высоком вакууме
    
    Физика твердого тела, 61:10 (2019),  1978–1984
20. Интеркалирование графена на карбиде кремния кобальтом
    
    Физика твердого тела, 61:7 (2019),  1374–1384
21. Исследование влияния водородного травления поверхности SiC на последующий процесс формирования пленок графена
    
    ЖТФ, 89:12 (2019),  1940–1946
22. Исследование влияния структурных дефектов на спектры фотолюминесценции в $n$-3$C$-SiC
    
    Письма в ЖТФ, 45:11 (2019),  28–30
23. Полевой эффект при формировании интерфейса однослойного графена с водой
    
    Физика твердого тела, 60:12 (2018),  2474–2477
24. Интеркалирование графена, сформированного на карбиде кремния, атомами железа
    
    Физика твердого тела, 60:7 (2018),  1423–1430
25. Электронно-дифракционное изучение структуры эпитаксиального графена, выращенного методом термодеструкции 6$H$- и 4$H$-SiC (0001) в вакууме
    
    Физика твердого тела, 60:7 (2018),  1403–1408
26. Graphene on silicon carbide as a basis for gas- and biosensor applications
    
    Наносистемы: физика, химия, математика, 9:1 (2018),  95–97
27. Переход между электронной локализацией и антилокализацией, а также проявление фазы Берри в графене на поверхности SiC
    
    Физика и техника полупроводников, 52:12 (2018),  1512–1517
28. Электрические свойства GaAs нитевидных нанокристаллов, выращенных на гибридных подложках графен/SiC
    
    Физика и техника полупроводников, 52:12 (2018),  1507–1511
29. Синтез методом молекулярно-пучковой эпитаксии и структурные свойства GaP- и InP-нитевидных нанокристаллов на SiC-подложке с пленкой графена
    
    Физика и техника полупроводников, 52:11 (2018),  1317–1320
30. Локальное анодное окисление слоев графена на SiC
    
    Письма в ЖТФ, 44:9 (2018),  34–40
31. Полевой эффект в графене при интерфейсном контакте с водными растворами уксусной кислоты и гидроксида калия
    
    Физика твердого тела, 59:10 (2017),  2063–2065
32. Исследование кристаллической и электронной структуры графеновых пленок, выращенных на 6$H$-SiC (0001)
    
    Физика и техника полупроводников, 51:8 (2017),  1116–1124
33. Воздействие протонного облучения с энергией 8 МэВ на гетероэпитаксиальные слои $n$-3$C$-SiC
    
    Физика и техника полупроводников, 51:8 (2017),  1088–1090
34. Транспортные свойства пленок графена, выращенных методом термодеструкции поверхности SiC (0001) в среде аргона
    
    Письма в ЖТФ, 43:18 (2017),  64–72
35. Транспортные свойства графена в области его интерфейса с водной поверхностью
    
    Физика твердого тела, 58:7 (2016),  1432–1435
36. Сверхчувствительный газовый сенсор на основе графена
    
    ЖТФ, 86:3 (2016),  135–139
37. Электронографическое исследование стадий формирования графеновой пленки при термодеструкции 6$H$-SiC (000$\bar1$) в вакууме
    
    Физика и техника полупроводников, 50:7 (2016),  967–972
38. Развитие модели спинодального распада на примере гетероструктуры на основе политипов карбида кремния
    
    Письма в ЖТФ, 42:23 (2016),  66–71
39. Эффект самоструктурирования пластин монокристаллического кремния в условиях индукционного нагрева в вакууме
    
    Физика и техника полупроводников, 48:3 (2014),  364–368
40. Исследование переходного слоя в гетероструктурах 3C-SiH/6H-SiC
    
    Физика и техника полупроводников, 47:11 (2013),  1554–1558
41. Сравнительное исследование слоев 3C-SiC, выращенных на подложке 6H-SiC, методом сублимации
    
    Физика и техника полупроводников, 47:9 (2013),  1279–1282
42. Структура и транспортные свойства наноуглеродных пленок, полученных сублимацией на поверхности на 6H-SiC
    
    Физика и техника полупроводников, 47:2 (2013),  267–272
43. Отжиг радиационно-компенсированного карбида кремния
    
    Письма в ЖТФ, 38:19 (2012),  90–94
44. Низкотемпературные транспортные свойства пленок мультиграфена, сформированных сублимацией на поверхности SiC
    
    Физика и техника полупроводников, 45:5 (2011),  634–638
45. Электрические характеристики пленок мультиграфена на подложках высокоомного карбида кремния
    
    Физика и техника полупроводников, 44:10 (2010),  1436–1438
46. О применении сублимационной эпитаксии для получения объемных кристаллов 3C-SiC
    
    Письма в ЖТФ, 36:12 (2010),  71–77
47. Исследование спектров краевой фотолюминесценции эпитаксиальных пленок $n$-3C-SiC
    
    Письма в ЖТФ, 36:11 (2010),  32–37


48. Comparative study of conventional and quasi-freestanding epitaxial graphenes grown on 4$H$-SiC substrate
    
    Физика и техника полупроводников, 54:12 (2020),  1383