Публикации в базе данных Math-Net.Ru
-
Зависимость удельного электросопротивления на переменном токе слоев алмазоподобного углерода в наноструктуре In/DLC//Si/In от толщины DLC
Физика твердого тела, 67:2 (2025), 246–256
-
Накопление и релаксация зарядов в приборных структурах Al/Si$_3$N$_4$/SiO$_2$/$n$-Si в активном режиме
ЖТФ, 95:11 (2025), 2221–2228
-
Electrical properties of carbon nanotubes / $\mathrm{WS}_2$ nanotubes (nanoparticles) hybrid films
Наносистемы: физика, химия, математика, 7:1 (2016), 37–43
-
Импеданс композитов Si/SiO$_2$ в окрестности порога протекания
Физика твердого тела, 53:3 (2011), 433–437
-
Эквивалентная схема замещения кремниевых диодов, облученных высокими флюенсами электронов
ЖТФ, 80:10 (2010), 74–82
-
Влияние радиационных дефектов на электрические потери в кремниевых диодах, облученных электронами
Физика и техника полупроводников, 44:3 (2010), 397–401
© , 2026