Попов Владимир Павлович

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Термостабильный сегнетоэлектрик HfO$_2$ : Al$_2$O$_3$ (10:1) в SOI и SOS гетероструктурах после RTA обработок и утончения кремния окислением
   
   Письма в ЖЭТФ, 121:12 (2025),  945–951
2. Структурные изменения в пленках кремний-на-изоляторе нанометровой толщины при высокотемпературном отжиге
   
   Физика и техника полупроводников, 56:3 (2022),  320–327
3. Диффузия германия из захороненного слоя SiO$_2$ и формирование фазы SiGe
   
   Физика и техника полупроводников, 56:2 (2022),  192–198
4. Диффузия атомов In в пленках SiO$_{2}$, имплантированных ионами As$^{+}$
   
   Физика и техника полупроводников, 55:3 (2021),  217–223
5. Комбинационное рассеяние света в сферических нанокристаллах InSb, ионно-синтезированных в пленках оксида кремния
   
   Физика и техника полупроводников, 53:4 (2019),  502–507
6. Энергия связи пластин кремния и сапфира при повышенных температурах соединения
   
   Физика и техника полупроводников, 53:1 (2019),  65–69
7. Перераспределение атомов отдачи эрбия и кислорода и структура тонких приповерхностных слоев кремния, созданных высокодозной имплантацией аргона через поверхностные пленки Er и SiO$_{2}$
   
   Физика и техника полупроводников, 52:13 (2018),  1589–1596
8. Положительный заряд в КНС-гетероструктурах с межслойным оксидом кремния
   
   Физика и техника полупроводников, 52:10 (2018),  1220–1227
9. Биосенсорные свойства нанопроволочных транзисторов с защитным слоем диэлектрика Al$_{2}$O$_{3}$, нанесенным методом плазменно-стимулированного атомно-слоевого осаждения
   
   Физика и техника полупроводников, 50:5 (2016),  643–649
10. Зависимость подвижности электронов в режиме обогащения от их плотности в полностью обедняемых пленках кремний-на-изоляторе
    
    Физика и техника полупроводников, 49:10 (2015),  1360–1366
11. Легирование кремния эрбием методом имплантации атомов отдачи
    
    Письма в ЖТФ, 41:16 (2015),  52–60
12. Квантовые поправки для пороговых напряжений полностью обедняемых КНИ транзисторов с двумя независимыми затворами
    
    Физика и техника полупроводников, 48:10 (2014),  1348–1353
13. Эффект гидростатического давления в процессе отжига пленок кремния на изоляторе, имплантированных большими дозами ионов водорода
    
    Физика и техника полупроводников, 48:10 (2014),  1339–1343
14. Ионный синтез нанокристаллов InSb в захороненном слое SiO$_2$ структуры кремний-на-изоляторе
    
    Физика и техника полупроводников, 48:9 (2014),  1228–1233
15. Кристаллизация пленок кремний-на-изоляторе, имплантированных большими дозами ионов водорода, под действием термических миллисекундных импульсов
    
    Физика и техника полупроводников, 47:5 (2013),  591–597
16. Структуры кремний-на-изоляторе с азотированным захороненным слоем SiO$_2$: метод создания и свойства
    
    Физика и техника полупроводников, 45:3 (2011),  335–342
17. Рост монокристаллического $\alpha\text{-Si}_{3}\text{N}_{4}$ в захороненных слоях, полученных низкоинтенсивной имплантацией ионов N$^{+}$ в нагретый кремний
    
    Физика и техника полупроводников, 26:8 (1992),  1390–1393
18. Влияние отжига под анодным окислом на изменение состава поверхности и конверсию типа проводимости монокристаллов $p$-Cd$_{x}$Hg$_{1-x}$Te ($x\simeq0.2$)
    
    Физика и техника полупроводников, 26:2 (1992),  310–317
19. Фазовый переход кристалл–аморфное состояние в сильно легированном кремнии
    
    Физика твердого тела, 28:10 (1986),  3134–3136


20. Леонид Степанович Смирнов к 80-летию со дня рождения (1932–2011)
    
    Физика и техника полупроводников, 46:6 (2012),  861–863