Калинина Евгения Викторовна

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Моделирование процессов облучения структур Cr/4H-SiC высокоэнергетическими ионами Ar
   
   ЖТФ, 95:6 (2025),  1157–1163
2. Облучение ионами аргона диодов Шоттки на основе 4H-SiC
   
   Физика и техника полупроводников, 58:9 (2024),  493–496
3. Эффект геттерирования в Cr/4$H$-SiC УФ фотодетекторах при облучении протонами с энергией 15 MeV
   
   ЖТФ, 93:4 (2023),  562–567
4. Облучение ионами аргона Cr/4H-SiC-фотоприемников
   
   Физика и техника полупроводников, 56:2 (2022),  254–258
5. Структурные, электрические и оптические свойства 4$H$-SiC для ультрафиолетовых фотоприемников
   
   Физика и техника полупроводников, 54:12 (2020),  1368–1373
6. Структурные и оптические характеристики ультрафиолетовых 4$H$-SiC-детекторов, облученных ионами аргона
   
   Физика и техника полупроводников, 54:11 (2020),  1244–1248
7. Влияние температуры на характеристики 4$H$-SiC-фотоприемника
   
   Физика и техника полупроводников, 54:2 (2020),  195–201
8. Облучение протонами 4$H$-SiC фотоприемников с барьером Шоттки
   
   Физика и техника полупроводников, 53:6 (2019),  856–861
9. Фотоэлектрические характеристики структур карбид кремния–кремний, выращенных методом замещения атомов в кристаллической решетке кремния
   
   Физика и техника полупроводников, 51:5 (2017),  651–658
10. Квантовая эффективность 4$H$-SiC-детекторов в диапазоне 114–400 nm
    
    Письма в ЖТФ, 42:20 (2016),  73–78
11. Облучение тяжелыми ионами 4H-SiC детекторов ультрафиолетового излучения
    
    Физика и техника полупроводников, 49:4 (2015),  550–556
12. Эффект дальнодействия в 6H-SiC при облучении ионами Хе
    
    Письма в ЖТФ, 41:5 (2015),  47–53
13. Оптические и электрические свойства 4H-SiC, облученного ионами Xe
    
    Физика и техника полупроводников, 48:2 (2014),  167–174
14. Высокотемпературный радиационно стойкий выпрямитель на основе $p^+$–$n$-переходов в 4H-SiC, ионно-легированном алюминием
    
    Физика и техника полупроводников, 44:6 (2010),  807–816
15. Влияние воздействия ультракоротких лазерных импульсов на электрофизические свойства карбида кремния
    
    Письма в ЖТФ, 11:11 (1985),  669–671
16. Катодолюминесценция SiC, ионно-легированного Al и Ar
    
    Физика и техника полупроводников, 18:4 (1984),  700–703