RUS
ENG
Полная версия
ПЕРСОНАЛИИ
Сукач Г А
Публикации в базе данных Math-Net.Ru
Перемещение границы
$p$
–
$n$
-перехода в GaAs : Si при гиратронном облучении
Физика и техника полупроводников
,
45
:12 (2011),
1633–1636
Влияние дислокаций на процесс порообразования в монокристаллах
$n$
-InP(111)
Физика и техника полупроводников
,
45
:1 (2011),
123–126
Определение локальных температур в светоизлучающих структурах на основе GaAlAs
ЖТФ
,
55
:11 (1985),
2265–2266
©
МИАН
, 2026