Карлина Людмила Борисовна

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Самокаталитический рост GaInP-наноструктур на подложках кремния из паровой фазы: выбор состава источника и каталитических капель
   
   Физика и техника полупроводников, 59:5 (2025),  265–269
2. Самокаталитический рост GaInP-наноструктур на кремнии из паровой фазы
   
   Письма в ЖТФ, 51:9 (2025),  45–49
3. Особенности роста нитевидных наноструктур InP на подложках кремния из паровой фазы
   
   Физика и техника полупроводников, 57:7 (2023),  530–533
4. Влияние состава источника на планарный рост нитевидных наноструктур при каталитическом росте в квазизамкнутом объеме
   
   Физика и техника полупроводников, 56:11 (2022),  1082–1087
5. Латеральные наноструктуры Ga(In)AsP как часть оптической системы фотопреобразователей на основе GaAs
   
   Физика и техника полупроводников, 53:12 (2019),  1714–1717
6. Рост наноструктур в системе Ga(In)AsP–GaAs в квазиравновесных условиях
   
   Физика и техника полупроводников, 52:10 (2018),  1244–1249
7. Изучение сверхструктуры в сильно легированном пористом фосфиде индия рентгеновскими методами
   
   Физика и техника полупроводников, 52:1 (2018),  89–92
8. Формирование $p$-эмиттера с участием сурфактантов в GaAs фотоэлектрических преобразователях
   
   Физика и техника полупроводников, 51:5 (2017),  699–703
9. Модификация поверхности GaAs и наблюдение эффекта гигантского рамановского рассеяния после диффузии индия
   
   Физика и техника полупроводников, 51:5 (2017),  611–614
10. Концентраторные фотоэлектрические модули со спектральным расщеплением света с солнечными элементами на основе структур AlGaAs/GaAs/GaSb и GaInP/InGaAs(P)
    
    ЖТФ, 83:7 (2013),  106–110
11. Высокоэффективные фотоэлементы на основе твердых растворов In$_{0.53}$Ga$_{0.47}$As с изовалентным легированием
    
    Физика и техника полупроводников, 44:2 (2010),  240–245
12. Исследование $pin$-фотодиодов на основе InGaAsP/InP
    
    ЖТФ, 55:8 (1985),  1566–1569