Шек Елена Ильинична

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Температурная зависимость дислокационной электролюминесценции в кремниевых светодиодах с кислородными преципитатами
   
   Физика и техника полупроводников, 57:4 (2023),  289–294
2. Кремниевые светодиоды с дислокационной люминесценцией, сформированные с участием кислородных преципитатов
   
   Физика и техника полупроводников, 56:9 (2022),  904–907
3. Эффективность возбуждения центров дислокационной люминесценции в кремнии с кислородными преципитатами
   
   Физика и техника полупроводников, 56:6 (2022),  542–545
4. Влияние дополнительной имплантации ионов кислорода на дислокационную люминесценцию кремния, содержащего кислородные преципитаты
   
   Физика и техника полупроводников, 55:10 (2021),  928–931
5. Кремниевые светодиоды с люминесценцией (113) дефектов
   
   Физика и техника полупроводников, 54:6 (2020),  580–584
6. Образование дефектов в структурах GaAs с непокрытой и покрытой пленкой AlN поверхностями при имплантации ионов азота и последующем отжиге
   
   Физика и техника полупроводников, 53:4 (2019),  437–440
7. Дислокационная фотолюминесценция в кремнии, имплантированном ионами германия
   
   Физика и техника полупроводников, 53:2 (2019),  165–168
8. Влияние температуры отжига на электрически активные центры в кремнии, имплантированном ионами германия
   
   Физика и техника полупроводников, 53:2 (2019),  161–164
9. Дефектная структура слоев GaAs, имплантированных ионами азота
   
   Письма в ЖТФ, 44:18 (2018),  24–30
10. Влияние дозы имплантации ионов азота на концентрацию точечных дефектов, введенных в слои GaAs
    
    Письма в ЖТФ, 44:13 (2018),  44–50
11. Влияние температуры измерения на люминесцентные свойства (113) дефектов в кремнии, имплантированном ионами кислорода
    
    Физика и техника полупроводников, 51:9 (2017),  1182–1184
12. Дислокационная фотолюминесценция в кремнии, имплантированном ионами фтора
    
    Письма в ЖТФ, 43:1 (2017),  14–20
13. Влияние дозы имплантации и длительности отжига на люминесцентные свойства (113) дефектов в Si, имплантированном ионами кислорода
    
    Физика твердого тела, 58:12 (2016),  2411–2414
14. Электролюминесцентные свойства светодиодов на основе $p$-Si, облученного электронами
    
    Физика и техника полупроводников, 50:2 (2016),  254–258
15. Влияние условий изготовления светодиодов на основе SiGe на их люминесцентные и электрофизические свойства
    
    Физика и техника полупроводников, 50:2 (2016),  250–253
16. Si : Si светодиоды с дислокационной люминесценцией при комнатной температуре
    
    Физика и техника полупроводников, 50:2 (2016),  241–244
17. Температурные зависимости интенсивностей фотолюминесценции центров в кремнии, имплантированном ионами эрбия и кислорода
    
    Физика и техника полупроводников, 49:12 (2015),  1700–1703
18. Образование донорных центров при отжиге кремниевых светоизлучающих структур, имплантированных ионами кислорода
    
    Физика и техника полупроводников, 49:3 (2015),  418–420
19. Влияние ионного легирования на фотолюминесценцию в кремнии, связанную с дислокациями, сформированными путем имплантации ионов Si$^+$
    
    Физика и техника полупроводников, 48:2 (2014),  212–216
20. Влияние температуры отжига на низкотемпературную фотолюминесценцию в светоизлучающих структурах Si:Er, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии
    
    Физика и техника полупроводников, 47:10 (2013),  1344–1346
21. Электрически активные центры, образующиеся в кремнии в процессе высокотемпературной диффузии бора и алюминия
    
    Физика и техника полупроводников, 47:2 (2013),  255–257
22. Электрически активные центры в кремнии, имплантированном ионами кислорода
    
    Физика и техника полупроводников, 47:2 (2013),  251–254
23. Фотолюминесценция в кремнии, имплантированном ионами кремния с аморфизующими дозами
    
    Физика и техника полупроводников, 45:9 (2011),  1182–1187
24. Фотолюминесценция в кремнии, имплантированном ионами эрбия при повышенной температуре
    
    Физика и техника полупроводников, 45:8 (2011),  1038–1040
25. Исследование кремния методами диффузного рассеяния гамма и рентгеновских лучей
    
    Физика твердого тела, 34:8 (1992),  2548–2554
26. Влияние неравновесных собственных точечных дефектов на образование электрически активных центров в кремниевых $p{-}n$-структурах при термообработке
    
    Физика и техника полупроводников, 26:11 (1992),  1938–1944
27. Подавление свирл-дефектов при термообработке пластин бестигельного кремния в хлорсодержащей атмосфере
    
    ЖТФ, 55:7 (1985),  1457–1459