Иванов Александр Михайлович

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Шумовая спектроскопия тока в ультрафиолетовых светодиодах на основе InGaN/GaN-структур с квантовыми ямами
   
   Письма в ЖТФ, 52:6 (2026),  45–48
2. Физические аспекты изменений в светоизлучающих структурах с InGaN/GaN квантовыми ямами при нагреве и кратковременных электрических воздействиях
   
   Оптика и спектроскопия, 133:4 (2025),  390–394
3. Импедансная спектроскопия и низкочастотный шум в тонких пленках углеродных квантовых точек
   
   Физика твердого тела, 66:7 (2024),  1189–1194
4. Падение внешней квантовой эффективности при охлаждении и плотности шума при нагревании в InGaN-ультрафиолетовых светодиодах
   
   Письма в ЖТФ, 50:16 (2024),  35–38
5. Деградация ультрафиолетовых светодиодов с квантовыми ямами InGaN/GaN, вызванная кратковременными воздействиями током
   
   ЖТФ, 92:2 (2022),  283–290
6. Влияние низкой температуры на электрофизические и шумовые характеристики ультрафиолетовых светодиодов на основе структур с квантовыми ямами InGaN/GaN
   
   Физика и техника полупроводников, 56:6 (2022),  596–600
7. Низкочастотный шум в светодиодах на основе InGaN/GaN квантовых ям при электрических воздействиях, сопровождающихся возрастанием внешней квантовой эффективности
   
   ЖТФ, 91:1 (2021),  76–81
8. Токовый шум и падение эффективности светодиодов при туннелировании носителей из квантовой ямы InGaN/GaN с участием дефектов
   
   Физика и техника полупроводников, 53:1 (2019),  104–110
9. Влияние трансформации точечных дефектов при джоулевом разогреве на эффективность светодиодов с квантовыми ямами InGaN/GaN
   
   Письма в ЖТФ, 42:22 (2016),  1–8
10. Прыжковый транспорт в области объемного заряда $p$–$n$-структур с квантовыми ямами InGaN/GaN как источник избыточного $1/f$ шума и потерь эффективности светодиодов
    
    Физика и техника полупроводников, 49:6 (2015),  847–855
11. Радиационная стойкость широкозонного материала на примере SiC-детекторов ядерного излучения
    
    ЖТФ, 82:4 (2012),  131–135
12. О растворимости серы в кремнии
    
    Физика и техника полупроводников, 46:8 (2012),  993–994
13. Similarities and distinctions of defect production by fast electron and proton irradiation: moderately doped silicon and silicon carbide of $n$-type
    
    Физика и техника полупроводников, 46:4 (2012),  473–481
14. К вопросу радиационной стойкости SiC-детекторов ядерного излучения в условиях повышенных рабочих температур
    
    Физика и техника полупроводников, 45:10 (2011),  1422–1426
15. Распределение по энергии атомов отдачи и формирование радиационных дефектов в пленках карбида кремния при протонном облучении
    
    Физика и техника полупроводников, 45:2 (2011),  145–148
16. Генерация донорного центра в высоковольтных 4H-SiC $p$–$i$–$n$-диодах под действием прямого тока
    
    Письма в ЖТФ, 37:19 (2011),  45–50
17. Барьеры на $p$-кремнии типа металл–диэлектрик–полупроводник с нанотолщинным диэлектриком из нитрида алюминия
    
    Физика и техника полупроводников, 44:8 (2010),  1064–1067
18. К вопросу однородности свойств CVD-пленок 4H-SiC
    
    Физика и техника полупроводников, 44:7 (2010),  1002–1006
19. Сравнительное изучение изменения электрических свойств кремния и карбида кремния при облучении протонами
    
    Физика и техника полупроводников, 44:5 (2010),  706–712
20. Глубокие уровни термодефектов в высокоомном особо чистом $n$-кремнии
    
    Физика и техника полупроводников, 26:11 (1992),  1962–1970
21. Ложные пики в спектрах DLTS планарных диодных структур
    
    Физика и техника полупроводников, 26:3 (1992),  477–480
22. Голографические характеристики жидкокристаллического модулятора света на твист-эффекте с органическим полимерным фотопроводником
    
    ЖТФ, 57:4 (1987),  729–734
23. Пространственно-временно́й модулятор света на основе структуры фотопроводящий органический полимер–жидкий кристалл с твист-эффектом
    
    ЖТФ, 57:3 (1987),  598–600