Ратников Валентин Вячеславович

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Сравнение характеристик тонких пленок PZT на подложках из сапфира и кремния
   
   Физика твердого тела, 63:8 (2021),  1076–1083
2. Структурная характеризация короткопериодной сверхрешетки на основе гетероструктуры CdF$_{2}$/CaF$_{2}$/Si(111) методами просвечивающей электронной микроскопии и рентгеновской дифрактометрии
   
   Письма в ЖТФ, 47:15 (2021),  3–6
3. Повышение эффективности фильтрации прорастающих дислокаций в темплейтах AlN/$c$-Al$_{2}$O$_{3}$ с фасетированной морфологией поверхности во время их роста методом молекулярно-пучковой эпитаксии
   
   Письма в ЖТФ, 46:11 (2020),  26–30
4. Снижение плотности прорастающих дислокаций в темплейтах AlN/$c$-сапфир, выращенных методом плазменно-активированной молекулярно-пучковой эпитаксии
   
   Письма в ЖТФ, 46:8 (2020),  36–39
5. Влияние степени нитридизации сапфира и обогащения алюминием зародышевого слоя на структурные свойства слоев AlN
   
   Физика и техника полупроводников, 52:6 (2018),  643–650
6. Изменение характера биаксиальных напряжений при возрастании $x$ от 0 до 0.7 в слоях Al$_{x}$Ga$_{1-x}$N:Si, полученных методом аммиачной молекулярно-лучевой эпитаксии
   
   Физика и техника полупроводников, 52:2 (2018),  233–237
7. Рентгеновская дифрактометрия темплейтов AIN/$c$-сапфир, полученных методом плазменно-активированной молекулярно-пучковой эпитаксии
   
   Письма в ЖТФ, 42:8 (2016),  61–69
8. Оценка качества GaAs-подложек, используемых для изготовления силовых полупроводниковых приборов
   
   ЖТФ, 84:10 (2014),  149–152
9. Особенности структурных и оптических свойств пористого кремния, полученного в $p^+$-эпитаксиальном слое на $n$-Si(111)
   
   ЖТФ, 83:3 (2013),  96–100
10. Последовательная структурная характеризация слоев в системе GaN/AlN/SiC/Si(111) методом рентгеновской дифрактометрии после каждой стадии их образования
    
    Письма в ЖТФ, 39:22 (2013),  25–32
11. Методы рентгеновской дифракционной диагностики сильнолегированных монокристаллов полупроводников
    
    ЖТФ, 80:4 (2010),  105–114
12. Микроструктура и деформации молекулярно-пучковых эпитаксиальных слоев ZnO на сапфире
    
    Физика и техника полупроводников, 44:2 (2010),  265–269
13. Диффузное рассеяние рентгеновских лучей на дефектах в монокристаллах германий-литий
    
    Физика твердого тела, 28:12 (1986),  3734–3736
14. Измерение углового распределения диффузного рассеяния рентгеновских лучей на трехкристальном спектрометре в случае Лауэ-дифракции
    
    ЖТФ, 55:2 (1985),  391–393
15. Экспериментальное наблюдение динамических эффектов при диффузном рассеянии рентгеновских лучей
    
    Физика твердого тела, 26:11 (1984),  3445–3447
16. Распределение диффузного рассеяния вблизи брэгговских отражений и его особенности при дифракции рентгеновских лучей монокристаллами Ge с примесью As
    
    Физика твердого тела, 26:7 (1984),  2155–2158


17. Спонтанное и стимулированное излучение в среднем ультрафиолетовом диапазоне квантово-размерных гетероструктур на основе AlGaN-соединений, выращенных методом молекулярно-пучковой эпитаксии на подложках $c$-сапфира
    
    Физика твердого тела, 55:10 (2013),  2058–2066