Публикации в базе данных Math-Net.Ru
-
Прыжковая проводимость ${K=0.3}$-серии образцов Ge : Ga : эффект насыщения, перскоки по ближайшим соседям и переход к прыжкам с переменной длиной
Физика и техника полупроводников, 26:3 (1992), 431–446
-
Определение соотношения между трансмутационными промесями в $Ge$ при легировании его тепловыми нейтронами
Письма в ЖТФ, 13:21 (1987), 1295–1299
-
Термическая ионизация неэквивалентных состояний азота в $\mathrm{6H}$–$Si\,C$
Письма в ЖТФ, 11:16 (1985), 1018–1023
-
Электроперенос в сильно легированном $6H-Si\,C\langle N\rangle$
Письма в ЖТФ, 11:1 (1985), 14–18
© , 2026